三极管原理及应用精华.docVIP

（1） 判别基极和管子的类型 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。 （2）判别集电极 因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。 （3） 电流放大系数β的估算 选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。2 ．4高频三极管和低频三极管的判断 高频三极管的结构多为扩散型管，它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构，它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同，用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同，通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下： 万用表置R×1k挡，测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管，负表笔接发射极，正表笔接基极；对于PNP型三极管，则正表笔接发射极，负表笔接基极)。然后，将万用表改至R×10k挡，再次测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度，则可判断被测三极管是高频管；若万用表指针偏转很小的角度，则可判断被测三极管是低频管。 需要说明的是，由于三极管PN结反向击穿电压大小不同，再加上不同万用表内的电池电压也不相同，这种判断方法不是很准确的。 5．穿透电流IcE0的简易测量 穿透电流IcEo的测量是通过测集电极一发射极反向电阻来实现的，如图15-18所示。所测反向电阻越大，说明IcEo越小。一般硅三极管比锗三极管阻值大；高频三极管比低频三极管阻值大；小功率的比大功率的阻值大。 测穿透电流IcE0的同时，还可对三极管的稳定性进行判断。用手捏住三极管的外壳，由于受人体温度的影响，所测反向电阻将开始减小。如果万用表指针偏转速度很快，或有很大的摆动，则说明三极管的温度稳定性差。 （6） 三极管好坏大致判断 利用三极管内PN结的单向导电性，检查各极间PN结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者PN结性能不好。如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了 1截止状态 　　当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当 晶体三极管于开关的断开状态，称之为三极管处于截止状态。 2放大状态 　　当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 3饱和导通状态 　　当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 　　根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。 给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正向偏置,反之就是反向偏置.（晶体管分p(阳极)区和n(阴极)区当p区电压大于n区电压时是正偏，反之就是反偏。例如npn型三极管，出去放大区时，vc大于vb，集电极反偏，vb大于ve，发射极正偏 ） 在晶体管放大电路中，在晶体管的基极和发射极之间应该预加一定的电压使之在没有信号输入的情况下本身也处于放大状态，这个预加的电压就叫偏置电压。 如果不加偏置电压，当输入信号小于0.6V时晶体管（硅管）对输入信号就没有任何反应，如果偏压设置得过小，那么当输入信号时为负时晶体管的输出就会出现失真（交流信号总是有正有负的），所以要使晶体管电路能正常工作，必须要设置适当的偏置电压。 1.三极管构成放大器有三种电路