合肥工业大学微电子工艺课件(本科)第九章 金属化互连与平坦化技术.pdfVIP

第九章金属化互连与 平坦化技术 本章内容  金属化接触与互连简介  VLSI 中的铝膜 ——Al/Si接触中的尖刺现象 —— 电迁移现象  铜互连技术  多层金属布线  平坦化技术  小结与展望 金属化制程基本概念  金属化：将硅片上制成的各种元器件用互连薄 膜材料 （通常为金属）的线条连接起来构成具 有各种功能的集成电路的工艺。  作用：①将有源元件按设计的要求联结起来形 成一个完整的电路和系统；②提供与外电源相 连接的接点  互连和金属化不仅占去了相当的芯片面积，而 且往往是限制电路速度的主要矛盾之所在 金属化制程基本概念 按其在集成电路中的功能划分，金属材料可分为三大类：  MOSFET栅电极材料：早期nMOS集成电路工艺中使用较多的 是铝栅，目前CMOS集成电路工艺技术中最常用的是多晶硅栅。  互连材料：将芯片内的各独立元器件连接成具有一定功能 的电路模块。铝是广泛使用的互连金属材料，目前在ULSI中， 铜互连金属材料得到了越来越广泛的运用。  接触材料：直接与半导体接触，并提供与外部相连的连接点。 铝是一种常用的接触材料，但目前应用较广泛的接触材料是 硅化物，如铂硅 (PtSi)和钴硅 (CoSi)等。 2  集成电路中使用的金属材料，除了常用的金属如Al，Cu， Pt，W等以外，还包括重掺杂多晶硅、金属硅化物、金属合 金等金属性材料。 集成电路对金属化的基本要求  与N+和P+硅或多晶硅能形成低阻欧姆接触，即 金属/硅接触电阻要小。  能提供低阻的互连引线，从而提高电路速度。  抗电迁移性能要好；  与绝缘体 （如SiO2）有良好的附着性；  耐腐蚀；  易于淀积和刻蚀；  易于键合；且键合点能经受长期工作；  层与层之间绝缘要好，不互相渗透和扩散，即 要求有一个良好的扩散阻挡层。 金属-半导体的两种接触类型  欧姆接触： —— 电压- 电流关系呈线性且对称； ——接触电阻尽可能低 （远小于材料体电阻）； ——有一定机械强度，能承受冲击、振动等外力 的作用。  肖特基接触：相当于理想的二极管 （肖特基二 极管）——金属半导体接触通常形成一个从半 导体到金属的肖特基势垒 （整流结），呈现二 极管特性。  肖特基势垒高度定义：半导体和金属的功函数 之差f =f -Xs B m 金属化工艺要求形成低阻欧姆接触 以金属-N型硅接触为例 （1）当金属功函数fm大于半导体功函数 （Xs+qVf)时， N型半导体中电子流向金属，在半导体表面形成电 子耗尽区，半导体表面能带上翘→形成肖特基势 垒—— 肖特基基础 （2 ）当金属功函数小于半导体功函数时，金属中电 子流向N型半导体，在半导体表面形成电子积累区， 无电子势垒产生——欧姆接触 IC中形成欧姆接触的方法  低势垒欧姆接触 如果金属的功函数fm小于n半导体的功函数fs ， 或金属的功函数高于p半导体的功函数 欧姆接触 由于界面处存在表面态，使半导体表面产生 一个耗尽层，仍然有整流特性 只要势垒高度低于0.3eV 以下，可近似看作 欧姆接触。（铂与P型硅，0.2eV ）  高复合欧姆接触：预先对半导体表面进行研磨或 喷沙处理，产生大量缺陷；或者掺入高复合中心 杂质，形成高复合欧姆接触。 IC中形成欧姆接触的方法  高掺杂欧姆接触： 在半导体表面形成高掺杂层，金属-半导体接 触时，形成极薄的耗尽区。除热电子发射外，载 流子能以隧道穿透方式通过势垒，形成低阻且对