清华大学微电子器件与电路课件——张进宇ch06-1.pptVIP

* 6.6.1 器件跨导 (6.90a)式可简化为： 由(6.90b)式可知，在饱和区，MOSFET的跨导随栅源电压VGS而线性增加，但是与源漏电压VDS无关。 从上面的分析中可见，MOSFET的跨导是器件几何尺寸以及载流子迁移率、器件阈值电压的函数，随着器件沟道长度L的缩小、沟道宽度W的增加或者栅氧化层厚度tox的减薄，器件的跨导将增加。 6.6.2 小信号等效电路 根据实际器件的结构，可以构造出MOSFET管的小信号等效电路，其中包含一些内在的电阻、电容元件，同时也包含一些反映器件电流方程的受控电流源。 (6.90b) * 6.6.2 小信号等效电路 图6.65 MOSFET的小信号等效电路示意图，注意图中器件的源极和衬底都接地。 * 6.6.2 小信号等效电路 在图6.65所示的MOSFET小信号等效电路中： 电容Cgs、Cgd ——反映栅极与沟道之间的相互作用； 电容Cgsp、Cgdp——反映栅极与源区和漏区之间寄生 的交叠电容； 电容Cds ——反映漏区与衬底之间的pn结电容； 电阻rs和rd——源区和漏区寄生的串联电阻； 器件沟道电流ID受栅源电压Vgs的控制作用通过一个 受控电流源来体现。 对于一个共源结构的MOSFET来说，其简化的小信号等效电路如下页图6.66所示。其中新增加的rds 反映的是短沟道MOSFET中沟道长度调制效应的影响，对于长沟器件来说，饱和区rds一般为无穷大；而在短沟器件中一般为一个有限值。它使得饱和区漏极电流也随着源漏电压的增加而有所增大。 这些参数是哪里来的？ 见书291页。 * 6.6.2 小信号等效电路 图6.66 简化的共源MOSFET小信号等效电路 注意其中的Vgs反映的是控制器件源漏电流的内部栅源电压。 * 6.6.2 小信号等效电路 在低频应用中，还可将图6.66中的等效电路进一步简化为图6.67所示的小信号等效电路。 图6.67 共源结构MOSFET低频小信号等效电路 图中已经把源、漏区的串联电阻以及一些寄生电容都忽略掉了，此时漏极电流仅通过器件跨导受栅源电压控制，器件栅极的输入阻抗为无穷大。 * 6.6.2 小信号等效电路 通常MOSFET的源极串联电阻对其特性有较大的影响 器件的漏极电流可 表示为： Vgs与Vgs之间的关 系可表示为： (6.91) (6.92) 图6.68 考虑源极串联电阻rs而忽略电阻rds之后得到的共源结构MOSFET低频小信号等效电路 * 6.6.2 小信号等效电路 由此可得器件的漏极电流为： 可见，源极串联电阻的存在降低了器件的有效跨导和MOSFET的增益。 对于p沟MOSFET来说，其小信号等效电路与n沟MOSFET完全相同，只是其中的电压极性和电流方向与n沟MOSFET中正好相反。二者小信号等效电路模型中的各个电阻、电容以及受控电流源等元件均完全一样。 (6.93) * 6.6.3 MOSFET的频率限制因子和截止频率 6.6.3 MOSFET的频率限制因子和截止频率 MOSFET通常存在两个基本的频率限制因子：载流子在沟道中的渡越时间；器件栅极电容的充放电时间。 当沟道长度为L=1?m时，假设沟道中载流子的饱和漂移速度为vsat=107cm/s，则渡越时间为： 这对应的器件最高频率已经高达100 GHz，远高于实际MOSFET的响应频率，因此载流子的沟道渡越时间不是限制MOSFET频率响应的主要因素。 再来看器件栅极电容充放电时间的影响，忽略源漏串联电阻以及rds、Cds之后的器件小信号等效电路如下页图6.69所示，其中RL为负载电阻。 * 6.6.3 MOSFET的频率限制因子和截止频率 在这个小信号等效电路中，MOSFET的栅极输入阻抗不再是无穷大值了，我们可以通过对栅极输入端的输入电流进行求和来得到栅极的输入阻抗。 图6.69 从等效电路可知，MOSFET的栅极输入电流为： (6.94) * 6.6.3 MOSFET的频率限制因子和截止频率 同样，对输出端漏极节点的电流求和可得： 联立上述两式，消除未知量Vd之后可得： 通常j?RLCgdT 1，因此(6.96)式可简化为： (6.95) (6.96) (6.97) * 6.6.3 MOSFET的频率限制因子和截止频率 根据(6.97)式，可得到进一步简化的器件高频小信号等效电路（图6.70），其中： 由此可见MOSFET栅极与漏区之间的交叠电容对器件输入阻抗的严重影响。 图6.70 (6.98) * 6.6.3 MOSFET的频率限制因子和截止频率 当MOSFET工作在饱和区时，器件栅漏之间的内在电容Cgd几乎为零，而Cgdp则保持不变，该寄生电容经过晶体管的倍增放大之后，将变成影响MOSFET输入阻抗的主要因素。 MOSFET的截止频率定义为器