Chap04 离子注入.pptVIP

第四章离子注入 第四章 离子注入 本征硅的导电性能很差，只有当硅中加入少量杂质，使其结构和电导率发生改变时，硅才成为一种有用的半导体。这个过程被称为掺杂。 掺杂方法：热扩散和离子注入 扩散和离子注入 热扩散利用高温驱动杂质穿过硅的晶格结构，这种方法受到时间和温度的影响。 离子注入通过高压离子轰击把杂质引入硅片。离子注入向指定区域中引入可控数量的杂质，以改变其电学性能，是一个物理过程 CMOS的一个基本单元的掺杂情况 CMOS制作中的掺杂工艺 CMOS制作中的掺杂工艺 掺杂区 掺杂区：杂质通过硅片上的掩模窗口进入硅的晶体结构区 离子注入的掩模通常是光刻胶，也可以是其他 扩散在高温炉中进行，氧化物或氮化物为掩模 掺杂区的类型可以和硅片不同也可以类型相同，浓度不同 4.1 热扩散 预淀积、推进、激活 预淀积：硅片被送入高温扩散炉，杂质原子从源转移到扩散炉内。800～1000℃，10～30min 推进：1000～1250℃，使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅中形成期望的结深。 激活：温度稍高，使杂质原子与晶格中的硅原子键合。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。 热扩散 在硅表面要生长一层薄氧化物（掩蔽氧化物）防止杂质从硅从扩散出去 推进中，高温形成的氧化物会影响杂质的扩散 B趋于进入生长的氧化层，P推离氧化层 由硅表面氧化引起的杂质浓度改变称为再分布 高浓度时，剂量误差5％～10％，浓度越小误差越大 4.2 离子注入 1973年第一台商用离子注入机问世，80年代广泛应用。典型的能量范围5～200keV, 特殊可达MeV，它具有以下一些优点： 简单的掺杂源 剂量可控：1010～1017cm-2，误差?2％， 分布可控：控制静电场来控制穿透深度 低温工艺 、均匀性、高产量、无固溶度限制 已经成为0.25微米技术和大直径硅片制作的标准工艺 离子注入的缺点： 对半导体晶格的注入损伤 浅和很深的注入分布难以得到 对高剂量注入，产率受限 离子注入设备昂贵，一超过＄2000000 4.3离子注入机 离子注入系统可分成三部分 离子源： BF3、AsH3和PH3，SiH4和H2，固态源 加速管 终端台 离子的质量分析：选择注入成分 离子的加速、扫描 离子加速可以在质量分析前或之后进行 加速管有几米长，由一组与分压网络相连的圆环组成 中性粒子的去除：静电偏转系统、弯道 光栅状扫描：垂直水平两组偏转板 混合型：一个方向扫描＋圆片相对束的机械运动 剂量控制 剂量Q：单位面积硅片表面注入的离子数 法拉第杯：捕获进入其中的所有电荷 Q等于电流对时间的积分，除以面积 防止二次电子逸出：电场、磁场 中低电流范围：0.1mA ~10mA 大电流：10mA ~25mA,大电流可以提高产量，但是会引起均匀性问题 注入机分类 射程 离子射程指的是离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离。 注入机的能量越高，射程越大 投影射程：离子在硅片中穿行的垂直距离，决定于离子质量和能量、靶的质量和离子束相对于硅片晶体结构的方向 射程 并非所有的离子都停留在投影射程上，且离子会在横向移动，导致了杂质原子穿行距离的一定分布——偏差?Rp， Rp表示结深， ?Rp表示杂质在结深附近的分布 离子在穿行硅片的过程中与硅原子碰撞，能量损失，最后停止在结深附近。能量损失的两个机制：电子阻碍和核阻碍。 注入离子在停止前能使104个硅原子发生位移，取决于离子的质量和能量 倾斜硅片 最常用的方法 （100）硅片偏离垂直方向7o 超浅结低能注入中，倾斜硅片不起作用 增加阴影效应，导致器件性能的不对称性 注入过程必须经常旋转硅片 某些情况下，大电流注入需要较大的注入角使注入深度减小，600 掩蔽氧化层 又称牺牲氧化层，注入后要去除 10～40nm 通过非晶氧化层进入硅片的离子，方向随机 影响其控制沟道效应能力的因素：注入能量、杂质种类、氧化层厚度和离子束方向 预非晶化 用电不活泼粒子Si+使硅单晶预非晶化 在注入前用以破坏表面一薄层的单晶结构 注入之后要退火修复晶格损伤 对于低于1keV的浅注入非常重要 4.4 退火 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格 被注入离子基本不占据硅的晶格点，而是停留在晶格间隙位置。 退火修复晶格缺陷、激活杂质原子 修复缺陷5000C，杂质激活9500C，杂质的激活与时间和温度有关 退火修复损伤、激活杂质 退火 高温炉退火：800～1000℃，30分钟，会导致杂质的扩散。 快速热退火：用极快的升温和在目标温度（～1000℃）短时间退火， 是控制浅结注入中结深的最佳方法。 RTA减小瞬时增强扩散——由注入硅的间隙杂质离子造成 4.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势 由于工艺对杂质有不同的要求，因此对离子注入的要求也各不相同。先进的MOS硅片制造有以下各种离子注