模电——第二章.pptVIP

* * 1 PN结的单向导电性 3 二极管的V-I特性 4 二极管模型及分析方法 5 稳压二极管 重点： 2.1 半导体器件的基本知识 2.2 PN结的形成及特性 2.3 半导体二极管 2.4 二极管的基本电路及分析方法 2.5 特殊二极管 2.1 半导体器件的基本知识 导　体：电阻率为10-6－ 10-3 Ωcm; 半导体：电阻率为10-3－ 108 Ωcm; 绝缘体：电阻率为108－ 1020 Ωcm; 1、物质分类 2、半导体特点 热敏性：温度升高时，其电阻率迅速下降； 光敏性：光线变化时，其电阻率立刻变化； 掺杂性：在纯净的半导体（本征半导体）中掺入其他微量元素（杂质半导体），其电阻率迅速下降； 3、本征半导体的结构特点 Ge Si 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 4、本征半导体的导电机理 在没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 载流子、自由电子和空穴 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 5 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 1.由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 N型半导体自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 N型半导体：掺入＋5价元素，杂质半导体中自由电子数量大于空穴数量，电子为多数载流子，空穴为少数载流子，以自己电子导电为主。 P型半导体：掺入＋3价元素，杂质半导体中空穴数量大于自由电子数量，空穴为多数载流子，自己电子为少数载流子，以空穴导电为主。 半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 2.2 PN结的形成及特性 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 三、PN结的电容效应 四、PN结的反向击穿特性 一、 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 P 型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层。 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场