第2讲 半导体二极管.pptVIP

模拟电子技术基础 主讲：董萍 epdping@scut.edu.cn 半导体基础知识 半导体二极管 第一章　常用半导体器件 依照导电性能，可以把媒质分为导体、绝缘体和半导体。 导体有良好的导电能力，常见的有铜、铝等金属材料； 绝缘体基本上不能导电，常见的有玻璃、陶瓷等材料； 半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，常见的有硅(Si)、 锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等材料。 半导体的导电能力会随温度、光照的变化或因掺入某些杂质而发生显著变化,具有温敏性、光敏性、掺杂性。 本征半导体： 无掺杂的纯净的单晶半导体，包括本征硅和锗。 第一章　常用半导体器件 杂质半导体：掺杂后的半导体，包括N型半导体和P型半导体。 　　N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素(磷、砷、锑)等，每个杂质原子(施主原子)提供一个自由电子，从而大量增加自由电子数量。 　　P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(硼、铝、铟)等，每个杂质原子(受主原子)提供一个空穴，从而大量增加空穴数量。　　 第一章　常用半导体器件 第一章　常用半导体器件 PN结 PN结的形成 半导体中的电流包括漂移电流和扩散电流。 漂移电流：在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动形成的电流。 扩散电流：在载流子浓度梯度作用下，半导体中的载流子从高浓度区向低浓度区扩散形成的电流。 第一章　常用半导体器件 P型半导体和N型半导体有机地结合在一起时，因为P区一侧空穴多，N区一侧电子多，所以在它们的界面处存在空穴和电子的浓度差。于是P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。这样在P区和N区分别留下了不能移动的受主负离子和施主正离子。 结果在界面的两侧形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区。 第一章　常用半导体器件 由于空间电荷区内没有载流子，所以空间电荷区也称为耗尽区(层)。又因为空间电荷区的内电场对扩散有阻挡作用，好像壁垒一样，所以又称它为阻挡区或势垒区。 第一章　常用半导体器件 PN结的单向导电性 第一章　常用半导体器件 a.载流子两种运动:扩散、漂移运动。 b.无外加电压的动态平衡。 c.加正向偏置.形成导通电流，正向电阻小。 d.反向电阻很大。 e.反向饱和电流IS ，受温度影响较大。 第一章　常用半导体器件 流过PN结的电流i 与外加电压u之间的关系为 　　　　　　 IS：反向饱和电流，其大小与PN结的材料、制作工艺、温度等有关； UT=kT/q：温度的电压当量或热电压。在T=300K(室温)时， UT =26mV。 第一章　常用半导体器件 PN结的电容效应 第一章　常用半导体器件 势垒电容和扩散电容都随外加电压的变化而变化，都是非线性电容。 PN结上的总电容Cj为两者之和，即Cj= Cb + Cd 。正偏时以Cd为主， Cj ≈ Cd ，其值通常为几十至几百pF；反偏时以Cb为主， Cj ≈ Cb,其值通常为几至几十pF。因为Cb和Cd并不大，所以在高频工作时，才考虑它们的影响。 第一章　常用半导体器件1.2 半导体二极管 晶体二极管是由PN结加上电极引线和管壳构成的。 第一章　常用半导体器件 第一章　常用半导体器件1.2 半导体二极管 常见结构 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 1.2 半导体二极管 二极管的主要参数 1.2 半导体二极管 二极管等效电路 二极管的最重要的应用是作为“开关”。由此而引申出来的有整流、限幅及电平选择等诸多方面的应用。在任何应用电路中，最核心的问题是如何判断二极管是处于导通或是截止状态。如果是导通的，二极管即可视为短路或0.7V(锗材料为0.2V)，反之，是截止的，即可视为为开路。 稳压二极管 稳压管主要参数 发光二极管 光电二极管 小结 (1) 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 二极管的温度特性 1.温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二