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第七章 MCS-51单片机存储器的扩展 MCS-51 RAM和ROM的最大扩展空间各为64KB。 系统扩展首先要构造系统总线。 地址锁存器74LS373 1) 以P0口作为低8位地址/数据总线。 2) 以P2口的口线作高位地址线。 3) 控制信号线。 ALE —— 低8位地址锁存信号。 /PSEN—— 扩展程序存储器读选通信号。 /EA —— 内外程序存储器选择信号。 /RD和/WR —— 扩展RAM和I/O口的读选通、写选通信号 优点:串行接口器件体积小,与单片机接口时需要的 I/O口线少, 可靠性提高。 缺点:串行接口器件速度较慢 在多数应用场合,还是并行扩展占主导地位。 1) 线选法 地址范围: 2732(1)的地址范围:7000H~7FFFH; 2732(2)的地址范围:B000H~BFFFH; 6116(1)的地址范围:E800H~EFFFH; 6116(2)的地址范围:D800H~DFFFH。 线选法特点 优点:电路简单,不需另外增加硬件电路,体积小, 成本低。 缺点:可寻址的器件数目受限,地址空间不连续。 只适于外扩芯片不多,规模不大的单片机系统 常用译码器芯片: 74LS138(3-8译码器) 74LS139(双2-4译码器) 74LS154(4-16译码器) 全译码:全部高位地址线都参加译码; 部分译码:仅部分高位地址线参加译码。 74LS138译码器真值表 输 入 输 出 G1 /G2A /G2B C B A /Y7 /Y6 /Y5 /Y4 /Y3 /Y2 /Y1 /Y0 采用全地址译码方式,单片机发地址码时,每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。 如果用74LS138把64K空间全部划分为每块4KB,如何划分? D7~D0: 8位数据输入线 Q7~Q0: 8位数据输出线。 G:数据输入锁存选通信号 /OE: 数据输出允许信号 2. 锁存器8282 功能及内部结构与74LS373完全一样,只是其引脚的排列与74LS373不同 8.2.3 锁存器74LS573 输入的D端和输出的Q端也是依次排在芯片的两侧,与8282一样,为绘制印刷电路板时的布线提供方便。 采用只读存储器,非易失性。 (1)掩膜ROM 在制造过程中编程,只适合于大批量生产。 (2)可编程ROM(PROM) 用独立的编程器写入,只能写入一次。 (3)EPROM 电信号编程,紫外线擦除的只读存储器芯片。 (4)E2PROM( EEPROM) 电信号编程,电擦除。读写操作与RAM相似,写入速度 稍慢。断电后能够保存信息。 (5)Flash ROM 又称闪烁存储器,简称闪存。电改写,电擦除,读写速 度快(70ns),读写次数多(1万次)。 典型芯片是27系列产品,例如, 2764 (8KB×8) 27128(16KB×8) 27256(32KB×8) 27512(64KB×8) “27”后面的数字表示其位存储容量。 扩展程序存储器时,应尽量用大容量的芯片。 引脚功能如下: A0~A15:地址线引脚。数目决定存储容量。 D7~D0:数据线引脚 /CE: 片选输入端 /OE : 输出允许控制端 /PGM: 编程时,加编程脉冲的输入端 Vpp: 编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端 Vcc: +5V,芯片的工作电压。 GND: 数字地。 NC: 无用端 外扩单片32K字节的EPROM 27256的接口。 扩展4片27128 典型型号有: 6116、6264、62128、62256。+5V电源供电,双列直插封装,6116为24引脚封装,6264、62128、62256为28引脚封装。 各引脚功能如下: A0~A14:地址输入线。 D0~D7:双向三态数据线。 /CE:片选信号输入。对于6264芯片,当26脚(CS)为 高电平时,且/CE为低电平时才选中该片。 /OE:读选通信号输入线。 /WE:写允许信号输入线,低电平有效。 Vcc:工作电源+5
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