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GaN基高亮度白光发光二极管 --- 照明领域的又一次革命 半导体发光二极管及其发展历史 第三代GaN半导体材料特点 宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2.3 —6.2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ，是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的 高频特性，可以达到300G Hz（硅为10G，砷化镓为80G） 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的） GaN固体光源的应用 半导体白光照明 车内照明 交通信号灯 装饰灯 大屏幕全彩色显示系统 太阳能照明系统 其他照明领域 紫外、蓝光激光器 高容量蓝光DVD、激光打印和显示、军事领域等 LED照明的优势 发光效率高，节省能源 耗电量为同等亮度白炽灯的 10%-20%，荧光灯的1/2。 绿色环保 冷光源，不易破碎，没有电磁干扰，产生废物少 寿命长 寿命可达10万小时 固体光源、体积小、重量轻、方向性好 单个单元尺寸只有3~5mm 响应速度快，并可以耐各种恶劣条件 低电压、小电流 半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一 日本、美国、欧盟、韩国等国家和地区都相继制定了本国的半导体照明计划 我国科技部于2003年6月成立“国家半导体照明工程”协调领导小组，在“十五”期间，从国家层面推出“半导体照明工程” 如果我国1/3照明应用半导体照明，每年可以节约的电量1000亿度，多于一个三峡水电站的发电量（800亿度） 半导体照明具有巨大的市场潜力 高亮度白光发光二极管的制造工艺 制约GaN基LED发展的因素 高亮度白光LED的实现 发光二极管的制造工艺过程 GaN外延片生长技术 芯片制造工艺 功率型大面积芯片到装结构的优点 功率型大面积芯片到装结构 1. 采用背面出光 避免了p面欧姆接触电极吸收和n面键合引线遮挡 而且可以增加欧姆接触层的厚度降低正向电压降 2. 可以采用高反射率的金属作为p型欧姆 接触电极和光学反射层。 3. 采用硅片作为GaN芯片到装的载体 硅片与蓝宝石具有相同的热膨胀系数，可以 采用硅旁路二极管保护芯片不受静电冲击，而 且硅片易加工可采用工业化标准工艺 4. 用大面积芯片加大工作电流获得大功率 的性能 一体化插入式并联栅状电极 封装技术 大功率LED封装结构的特点 热阻低 热阻仅有14oC/W，是常规5mm型LED的1/20 可靠性高 内部填充稳定的柔性凝胶体，在-40~120oC 范围内不会使金丝和框架引线断开。 反射杯和透镜的最佳设计使辐射图样可控制和光学效率最高 常规型LED在大电流（150mA）下工作几个小时就出现明显退化和永久失效，而这种封装的LED即使在1A电流下工作也不会出现功率下降和失效。 GaN基发光二极管还存在的问题 价格过高 至少应从目前的1$/个降至0.2$/个 发光效率还不够高 至少从目前的50~100lm/w提高到200lm/w 性价比低 还不到民众普及的时刻 使用低压直流电，与现有的照明系统不同 半导体照明的寿命实际上还涉及多方面的问题，与10万小时的理论寿命有差距 半导体发光二极管及其发展历史 1965年世界上的第一只商用化LED诞生，用锗制成，单价45美元，为红光LED，发光效率0.1 lm/w（流明/瓦） 1968年利用半导体掺杂工艺使GaAsP材料的LED的发光效率达到1 lm/w, 并且能够发出红光、橙光和黄光 1971年出现GaP材料的绿光LED，发光效率也达到1 lm/w 80年代，重大技术突破，开发出AlGaAs材料的LED，发光效率达到 10 lm/w 90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，它们做成的LED光效分别达到100 lm/w和50 lm/w 90年代中期出现以蓝宝石为衬底的GaN蓝光LED，到目前仍然为该技术 第三代半导体材料的兴起 20世纪50年代，以硅为代表的半导体材料为第一代半导体材料 20世纪90年代以来，以砷化镓，磷化铟为代表的化合物半导体材料为第二代半导体材料 以氮化镓GaN为代表的宽带隙化合物半导体材料为第三代半导体材料 * * 串帘寥逼桂朵轮冕刽炸仲鼻豺阔症唁私皋肚住坛肇瞒愚肃脂拎难储匙左炼GaN基高亮度白光发光二极管GaN基高亮度白光发光二极管 Seminar I 学生 张大治 导师 刘中民研究员 咨悲筋念曾剧噬织骤粱卞弧香暖计半武