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[整理版]GaN基高亮度白光发光二极管.ppt
GaN基高亮度白光发光二极管;半导体发光二极管及其发展历史;第三代GaN半导体材料特点;GaN固体光源的应用;;LED照明的优势;半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一;半导体照明具有巨大的市场潜力;高亮度白光发光二极管的 制造工艺;制约GaN基LED发展的因素;高亮度白光LED的实现;发光二极管的制造工艺过程;GaN外延片生长技术;芯片制造工艺;功率型大面积芯片到装结构的优点;一体化插入式并联栅状电极;封装技术;热阻低
热阻仅有14oC/W，是常规5mm型LED的1/20
可靠性高
内部填充稳定的柔性凝胶体，在-40~120oC 范围内不会使金丝和框架引线断开。
反射杯和透镜的最佳设计使辐射图样可控制和光学效率最高
常规型LED在大电流（150mA）下工作几个小时就出现明显退化和永久失效，而这种封装的LED即使在1A电流下工作也不会出现功率下降和失效。
;GaN基发光二极管还存在的问题;2001年建成的由18,677,760个LED组成的世界上最大的显示屏;发光二极管是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。当通过正向电流时，电子与空穴复合以光的形式释放出能量。;第三代半导体材料的兴起
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