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西安电子科技大学微电子学院 数字电子技术基础 第3章 集成逻辑门 3.1 数字集成电路的分类－－按有源器件 数字集成电路的分类－－按集成度 获得高、低电平的原理 输入信号Ui控制晶体管起到开关S的作用： 开关S断开时，输出电压UO为高电平； 开关S导通时，输出电压UO为低电平； 二极管、三极管逻辑门 双极型三极管的开关特性 双极型三极管在数字电路中用作开关，主要处于截止、饱和两个状态。 适当调整RB和RC的阻值，可以使得三极管： Ui为低电平时iB=0，三极管截止，输出电压Uo为高电平；（输出特性曲线中A点） Ui为高电平时iB0，当RB和RC为合适阻值时，RC上压降近乎等于UCC，UCE较小，三极管饱和导通，输出电压Uo为低电平；（输出特性曲线中C点） 双极型三极管的开关等效电路 3.2 TTL集成逻辑门 TTL反相器 TTL与非门 TTL集电极开路门和三态门 TTL反相器工作原理 输入低电平时，即Ui=UIL=0.2V≈0： T1发射结导通，UB1=0.9V，通过集电结作用到T2上时使T2截止，从而使T4、D2导通；而T5截止，输出为高电平。 输入高电平时，即Ui=UIH≈UCC： T1发射结截止，T1基级电压应为UB1=Ubc1+Ube2+Ube5=2.1V，T2、T5导通，从而UC2=UBE5+UCES≈1V ，无法使T4、D2都导通，输出为低电平。 3.2.2 TTL与非门的工作原理 TTL与非门的工作原理（续） 3.2.2 TTL与非门的特性与参数 电压传输特性 输入特性 输出负载特性 输出特性 扇入系数和扇出系数 平均延迟时间 电压传输特性 电压传输特性：输出电压随输入电压变化的关系曲线，即UO=f(UI)函数关系。 电压传输特性的几个重要参数 电压传输特性的几个重要参数： 电压传输特性的几个重要参数（续） 电压传输特性的几个重要参数： 电压传输特性的几个重要参数（续2） 电压传输特性的几个重要参数： 电压传输特性的几个重要参数 电压传输特性的几个重要参数： 输入特性 输入特性：输入电流与输入电压之间的关系曲线，即II=f(UI)函数关系。 平均延迟时间 平均延迟时间：输出信号滞后于输入信号的时间，是衡量门电路速度的重要指标。 3.2.4 集电极开路门和三态门 使用TTL器件时应注意两点： 1、输出端不能直接和地线或电源线相连。 集电极开路门 集电极开路门又称OC（Open Collector）门。 三态门 三态门的图形符号 三态门的应用 在公用通道（总线）上轮流传送信息 3.3 MOS集成逻辑门 MOS集成逻辑门是采用半导体场效应管作为开关元件的数字集成电路。 MOS集成电路分为PMOS、NMOS、CMOS三种类型。 优缺点：工作速度快、集成度高但带电容性负载的能力弱。 应用：适于设计大规模集成电路，如：存储器、微处理器等；不适于制成通用逻辑门电路。 CMOS电路意为互补MOS电路（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）。 MOS场效应管开关原理 3.3.1 CMOS反相器 电路结构与工作原理： 由两个场效应管组成，V1为N管，称驱动管；V2为P管，称负载管。 N管栅源开启电压UTN为正值；P栅源开启电压UTP是负值；电压范围2～5伏。 电源电压UDD(UTN + | UTP|)，UDD可在3～18V之间工作，范围较宽。 CMOS反相器－－电路分析 当UI=UIL≈0时，UGS1=0UTN，V1截止；此时，|UGS2||UTP|，V2导通（此时内阻很低）；所以UO=UOH≈UDD，输出为高电平； 当UI=UIH≈UDD时，UGS1=UDD UTN，V1导通；此时，|UGS2|=0 |UTP|，V2截止；所以UO=UOL≈0，输出为低电平； CMOS反相器工作时总有一个管子截止，截止阻抗极高，此时静态电流很小，因此反相器静态功耗低。 CMOS反相器主要特性－－电压特性 AB段：UIUTN（输入低电平）时，UGS1UTN、|UGS2||UTP|，V1截止、V2导通，UO=UOH≈UDD（输出高电平）。 CD段：UI UDD －|UTP|（输入高电平）时， V1导通，而|UGS2||UTP| ， 故V1截止，UO=UOL≈0（输出低电平）。 BC段：UTN UI (UDD －|UTP|)， V1、V2均导通，UO≈UDD/2。 CMOS反相器主要特性－－电流特性 AB段：V1截止，阻抗很高，流过V1、V2的漏电流几乎为0 。 CD段：V2截止，阻抗很高，流过V1、V1的漏电流也几乎为0 。 BC段：V1、V2均导通，此时才有iD流过V1、V2 ，且在UI＝UDD/2附近， iD最大。