半导体课程设计--高频小功率晶体管设计.pptVIP

高频小功率晶体管设计 10微电子2班第 4组成员： 设计步骤： 1.高频大功率晶体管的电学参数 2.纵向结构参数 3.图形结构 4.材料参数 5.工艺方案 6.热学设计，封装形式 7设计方案的完善 设计的要求与数据 （1）了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。 （2）根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, NB, （ 3）和NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命 等。 （4）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc,发射结结深Xje等。根据扩散结深Xjc,发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩 （5） （散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 （6）根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 物理参数设计 各区掺杂浓度及相关参数的计算 击穿电压主要由集电区电阻率决定。因此，集电区电阻率的最小值由击穿电压决定，在满足击穿电压要求的前提下，尽量降低电阻率，并适当调整其他参量，以满足其他电学参数的要求 . 对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至均匀掺