三种典型的半导体存储器芯片.pptVIP

总线上的内部存储器 1、一位SRAM原理 ③读/写原理 写：行、列地址选通该位， 写控制线为高电位(读控制线为低电位)，G3, G2管导通。数据线上的一位数据1(或0)，通过G2同相加至T2,通过G3反相加至T1,强使T2 的Q处为1 (或0) ，强使T1的Q处为0 (或1) 。即将一位数据写入该位存储器中。 读：行列地址选通该位，读控制线为高电位(写控制线为低电位) ，G1管导通。强迫T2 的Q处的电位1(或0)与一位数据线相通，该位数据出现在数据线上，即完成了该位存储器的读出。 ① 5位地址A0 ～ A4可表示32 个存储单元(0000～11111) 。 ② 5位列地址A0 ～ A4译码器, 可寻址32列; 6位行地址A5 ～ A10译码器 , 可寻址64行。 此矩阵有 32×64=2048个存储单元。 ③由6位行选线、 5位列选线 (11位地址线)可唯一选定2K×1位静态RAM矩阵中某一位存储单元。 记住： 211=2048 ； 地址范围为000H ～7FFH ④读/写原理 片选信号CS(低电位)选定该片： 行、列地址唯一选定某位存储单元； 读/写控制信号WR: 高电位读、低电位