第四章 真空溅射镀膜 第五章 离子镀膜.pptVIP

第四章 真空溅射镀膜 Vacuum Sputtering Coating 4.1 溅射技术 Sputtering Technique 4.2 直流溅射镀膜 D.C. Sputtering Technique 1）二极溅射 ①原理：异常辉光放电产生正离子 ②结构： 镀膜室 基片架及基片 溅射靶 加热装置（促进发射电子） 充气系统——工作气体Ar气，反应气体 抽气系统——本底真空 10-3Pa， 工作真空 1~10Pa 电气系统——放电电源 ③缺点： 参数不能单独控制， 靶材必须为良导体，且易于发射电子 沉积速率低 基片温升高（电子轰击） 2）三极（四极）溅射?结构 4.3 （直流）磁控溅射镀膜 Magnetron Sputtering Technique 利用磁场控制电子的运动 1）磁控靶 设计要点：①产生均匀正交电磁场，电场⊥，磁场∥。关心水平磁场的强度和分布。 ②磁场形成封闭回路，电子在其中循环飞行。 ③防止非靶材成分的溅射，加屏蔽罩。屏蔽间隙δ＜2re 结构形式:107 Fig4-15 ①圆平面靶 3）工作特性及参数 ①电流电压特性： 低压等离子体放电 电压↑，电流↑； 气压p↑，放电电压U↓，电流I↑； 与靶的结构有关。 ②沉