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第7章 有源射频电路器件模型 7.1 二极管模型 7.1.2 线性二极管模型 例题7.1 小信号PN结二极管模型的导出 7.2 晶体管模型 补充：晶体管的直流放大系数 晶体管的共射极输出特性曲线 7.2.1 大信号BJT模型 例题7.2 Ebers－Moll大信号模型的注入－－传输响应 7.2.2 小信号BJT模型 例题7.3 Miller效应 例题7.4 对一BJT设定偏置条件，确定输入/输出阻抗和计算S参量 7.2.3 大信号FET模型 MESFET性能简介 7.2.4 小信号FET模型 例题7.5 近似确定GaAsMESFET的截止频率 7.3 有源器件的测量 7.3.2 双极结晶体管的AC参量的测量 例题7.6 忽略Miller效应下小信号混合?参量的提取 7.3.3 场效应晶体管参量的测量 7.4 用散射参量表征器件特性 在正向测量条件下，基极－集电极二极管短路，式(7.46)简化为 从这两条曲线外推集电极电流以求得截距lnIS(如图7.28所示);其次从基极电流外推可得1nIS－1n?f，由此可确定?f。从图可看出：显然只在很窄的集电极-发射极电压范围内电流增益是常数。而对于低的和高的电流注入，都发生显著的偏离。 Early效应被表示成集电极电流的线性梯度： 考察如图7.29所示的小信号、低频电路模型。 这个模型与表示在图7.14的混合?模型有联系，但没有输出反馈和电阻影响。对于在正向激活中的Q点，我们可导出与式(7.15)-式(7.20)相一致的以下参量： Ebers-Moll模型是最早的BJT电路表示法之一， 其缺点在于： 其原始模型不能考虑到一系列物理现象。研究表明： （1）?F 和 ?R是与电流有关的； （2）饱和电流 IS 是受基极－集电极电压影响的。 这两种效应对BJT的综合性能有重要影响。基于上述理由，对原始的Ebers－Moll模型改进，最终成为图7.11所示的Gummel-Poon模型。 在这个模型中附加有两个额外的二极管用于处理与集电极电流有关的正向和反向电流增益 ?F(Ic)和 ?R(IC)。图7.11给出一典型的?F(Ic)曲线。 这两个漏泄二极管L1，L2提供了4个新的设计参量：IS1、nEL； IS2、nCL。它们是对于低电流正常、反向模式工作时，下式中的系数。 该Gummel—Poon模型能处理Early效应： 随着集电极－发射极电压的增高，空间电荷区开始向远处扩散到基区。结果在同定基极电流下使集电放电流有增加。如果对每条集电极电流作切线，则这些切线近似地会聚在一个电压点－VAN，这称为正向Early。如果BJT工作在反向模式下，可以进行相同的分析，结果在一个电压点VBN上，称之为反向Early效应。 Gummel－Poon模型还允许列入一个与电流有关的基极电阻和一个分布式基极－集电极结电容Cjbc。把静态Gummel－Poon模型转换为包括有二极管电容和Cjbc动态模型，将简化为如图7.13所示的等效电路。 这个电路与大信号Ebers－Moll模型的差别： 基极电阻 RBB‘ 依赖于电流； 集电极电流考虑到Early效应； 以及一个分布式基极－集电极结电容Cjbe进入该模型。 在SPICE中可调用这两种BJT模型，对于EbersMoll模型，要求有26个电路参量，而对于Gummel—Poon，要求多达41个电路参量。通常，BJT制造商在其数据清单中提供这些参量。更多的情况只给出测量到的S参量，而不是一般适用的Spice模型参量。由于这些测量值是在特定的频率和确定的偏置条件下记录的，这就要求电路设计工程师对这些数据进行插值，以得到晶体管在特定工作条件下的数据，而后者在数据清单上是找不到的。 现在从大信号Ebers－Moll方程导出在正向激活模式下的小信号模型。为此，将大信号模型(如图7.9所示)转化为如图7.14中的线性混合模型。 从图中可以看到，基极-发射极二极管被一小信号二极管模型所取代，而集电极电流源被一电压控制的电流源所代替。为使此模型更加现实，一电阻 r? 被并联在反馈电容 C? 上。 此模型的小信号电路参量，通过在偏置点(或Q点)附近对输入电压电压 VBE 和输出电流 IC 按小信号AC电压 vbe 和电流 ic作展开如下： 此模型的小信号电路参量，通过在偏置点(或Q点)附近对输入电压电压 VBE 和输出电流 IC 按小信号AC电压 vbe 和电流 ic作展开如下： 其中引人了跨导，它由下式定义： 而在工作点的小信号电流增益为： 输入电阻为： 输出电导为： 由图7.13可见，在端点B’－C‘－E‘内，这一模型化为静态情况，而略去集电极－发射