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高电压技术 第一篇 电介质的电气强度 自测题 参考答案 一、选择题 1、B2、C3、A4、C5、B 6、D7、A8、D9、B10、A 11、C12、A13、A 　　A 15、D 16、D 17、C 18、B 19B 20 D 21 D 22 C 23A 24　　 1 答案：辉光放电、电晕放电、刷状放电、火花放电、电弧放电 2 极小（最低） 3、提高 4、光电离 5、棒－棒 6、扩散 7、改善(电极附近)电场分布 8、固体介质 9、101.3 10、低 11、 12、增加 13、250/2500 14、空间电荷 15、先导、主放电、余光 16、增大 17、 杂质 温度 电压作用时间 电场均匀程度 压力 18、电击穿 热击穿 电化学击穿 19、电子碰撞电离理论 气泡击穿理论 小桥理论 20、电压作用时间 电场均匀程度 温度 累积效应 受潮程度 21、不均匀场强处扰动大，杂质不易形成桥 22、差别很大 差别很小 冲击击穿电压作用时间太短，杂质来不及形成桥 23、汤逊 24、小 25、光游离 、表面电离 26、电气装置的绝缘、绝缘的测试（或高电压试验）、电力系统的过电压及绝缘配合 27、.相对介电常数 28、碰撞游离 、 表面游离 29、离子性 、_电子性 30、抑制 31、相对介电常数 32、差 33、极化损耗 34、覆盖 35、高 36、大 37、电晕放电极性效应 （?√?）（?×?） 四、名词解释题 1.对某一冲击电压波形，间隙的击穿电压和击穿时间的关系称为伏秒特性。 2.气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿。 它不适用于不均匀电场。此外，巴申定律是在气体温度不变的情况下得出的。对于气温并非恒定的情况应为Uf=F(δd)，δ为气体的相对密度。 8. 击穿百分比为50%时的电压。多次施加电压时有半数会导致击穿的电压； 五、计算问答题 1、当外施电压足够高时，一个电子从阴极出发向阳极运动，由于碰撞游离形成电子崩，则到达阳极并进入阳极的电子数为ead个(α为一个电子在电场作用下移动单位行程所发生的碰撞游离数；d为间隙距离)。因碰撞游离而产生的新的电子数或正离子数为(ead-1)个。这些正离子在电场作用下向阴极运动，并撞击阴极．若1个正离子撞击阴极能从阴极表面释放r个(r为正离子的表面游离系数)有效电子，则(ead-1)个正离子撞击阴极表面时，至少能从阴极表面释放出一个有效电子，以弥补原来那个产生电子崩并进入阳极的电子，则放电达到自持放电。即汤逊理论的自持放电条件可表达为r(ead-1)=1。 汤逊理论 适用于解释均匀电场低气压、短气隙的情况（pd26.66kPa·cm） 可定量分析（巴申定律），气隙的击穿电压是pd的函数 认为电子崩和阴极上的二次发射过程是气体自持放电的决定性因素， 流柱理论 适用于解释不均匀电场、高气压、长气隙的情况（pd26.66kPa·cm） 只是定性分析。 认为电子碰撞电离及空间光电离是维持自持放电的主要因素，并强调了空间电荷畸变电场的作用。 2、（1）当棒具有正极性时，间隙中出现的电子向棒运动，进入强电场区，开始引起电离现象而形成电子崩。随着电压的逐渐上升，到放电达到自持、爆发电晕之前，在间隙中形成相当多的电子崩。当电子崩达到棒极后，其中的电子就进入棒极，而正离子仍留在空间，相对来说缓慢地向板极移动。于是在棒极附近，积聚起正空间电荷，从而减少了紧贴棒极附近的电场，而略为加强了外部空间的电场。这样，棒极附近的电场被削弱，难以造成流柱，这就使得自持放电也即电晕放电难以形成。 （2）当棒具有负极性时，阴极表面形成的电子立即进入强电场区，造成电子崩。当电子崩中的电子离开强电场区后，电子就不再能引起电离，而以越来越慢的速度向阳极运动。一部份电子直接消失于阳极，其余的可为氧原子所吸附形成负离子。电子崩中的正离子逐渐向棒极运动而消失于棒极，但由于其运动速度较慢，所以在棒极附近总是存在着正空间电荷。结果在棒极附近出现了比较集中的正空间电荷，而在其后则是非常分散的负空间电荷。负空间电荷由于浓度小，对外电场的影响不大，而正空间电荷将使电场畸变。棒极附近的电场得到增强，因而自持放电条件易于得到满足、易于转入流柱而形成电晕放电。 3、（1）电场分布情况和作用电压波形的影响 （2）电介质材料的影响 （3）气体条件的影响 （4）雨水的影响 4、保护设备的伏秒特性应始终低于被保护设备的伏秒特性。这样，当有一过电压作用于两设备时，总是保护设备先击穿，进而限制了过电压幅值，保护了被保护设备 5答：（1）由于含有卤族元素，这些气体具有很强的电负性，气体分子容易和电子结合成为负离子，从而削弱了电子的碰撞电离能力，同时又加强了复合过程。