热处理与局域掺杂技术 第二章 扩散掺杂技术.pdfVIP

热处理和局域掺杂技术 第二章：扩散掺杂技术 第三章：热氧化技术 第四章：离子注入技术 第五章：快速热处理技术 第二章：扩散掺杂技术 P B – 2.1. 晶体中的杂质扩散 – 2.1. 1.基本扩散机理(模型) – 1) 间隙式扩散 间隙原子从一个间隙 位跳到邻近的间隙位， 造成原子的移动。 如：O、Fe 、Au等 – 2 ）替位式扩散 杂质原子在晶 格中移动方式是由 一个晶格跳到下一 个晶格。 如：B 、P 、Au等。 – 替位式扩散需要杂质 原子的邻近位是一空位（空位交换）；或 者，需要将邻近的替位原子推到邻近的间隙 位。因此，这种扩散机制的扩散速率较慢。 – 3 ）其它扩散机制 a ）直接交换 b ）Kick-out机制 （page 45 ， Kick-out机制的 扩散速率一般超 过替位式扩散 如：Ni等。 • 扩散系数的普遍表达式： 通常高阶电荷态的几率很小可以忽略 （P.43 、44 ；Table:3.2, Example: 3.1) • 而某一种扩散系数可以表达为： D=D exp （-k /kT ） 0 a 可以得到Arrhenius Plot • 多种扩散机制共存情况 • 增强扩散 • 各向异性扩散 – 2.1. 2. 扩散的数学描述 – 1 ）Fick’s扩散定律（一维） – （物理本质是热力学中的化学势梯度） ( ) ∂C x t J −D , Fick’s First Law ∂x ∂C ∂J 由质量守恒，得 − ， ∂t ∂x 因而， ( ) 2 ( ) ∂C x ,t ∂ C x ,t D 2 Fick’s Second Law ∂t ∂x – 2 ）两种边界条件 – a ）恒定表面源浓度 即： ( ) C 0,t CS ( ) C ∞,t 0 可得： 一余误差分布。 ⎛ x ⎞ ( ) C x t C , S erfc⎜ ⎟ ⎝2 Dt ⎠ ∞ ∞ 其杂质总量为： ⎛ x ⎞ ( ) Q C x t dx C dx ∫ ,