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* * 硅材料质量分析与鉴别 石坚 2008年12月 一、多晶硅主要的生产工艺 1、改良西门子法 Si + 3HCl→SiHCl3 +H2 +Q　 氯化 SiHCl3 +H2 →Si + 3HCl - Q　　还原 2、新硅烷热分解法 新硅烷热分解法分为两种, 一种在流化床上分解硅烷( SiH4 ) 得到粒状多晶硅（如MEMC), 另一种是用SiH4 为原料在西门子式硅沉积炉内生长多晶硅棒。 3、物理法生产5-6N多晶硅 工业硅?湿法提纯?吹气造渣?电子束/等离子体吹拂?定向凝固 目前物理法提纯的障碍：硼、磷、氧、铝 首先介绍分凝系数： 杂质原子从硅熔液中生长到硅晶体中的能力。 可以这样理解： 分凝系数越小，杂质进入到硅晶体中的数量就越少。剩余在硅熔液中的杂质就越多。 下图为各杂质在硅晶体生长中的近似分凝系数 挥发系数： 在一定时间、一定气压下，杂质从硅熔液去除的速率。 可以这样理解： 挥发系数越大，杂质挥发的越快，熔液中的杂质越少。 从上面的分凝系数和挥发系数中可以看出，硼、磷、氧、铝等是比较难以去除的。而这些元素又对电池片的质量起到较大的影响作用，所以硼、磷、氧、铝成为阻碍物理法5-6N硅大规模应用的最后的壁垒。攻克它，将会是光伏发电的一个不小的革新。 但在应用5-6N硅上，必须对一些表像进行研究，否则容易走入歧途。 二、硅材料中杂质的判断 硅材料质量 电阻率 Ⅲ、Ⅴ族元素含量 少子寿命 深能级金属、缺陷含量 FTIR氧碳 氧碳含量 SIMS测试 各种元素含量 1、电阻率 电阻率随温度的变化； 电阻率?载流子?多数载流子?掺杂剂浓度； N型半导体与P型半导体之间的关系； 电子迁移率135O±100cm3/伏秒 空穴迁移率48O ±15 cm3/伏秒 2、少子寿命 非平衡状态少数载流子在导带平均停留的时间。 少子寿命与测量方法； 少子寿命与掺杂剂含量； 少子寿命与氧含量； 少子寿命与晶体位错； 少子寿命与表面结构； 3、FTIR测量的间隙氧与替位碳含量 真实氧含量=间隙氧含量+替位氧含量+氧沉淀 真实碳含量=间隙碳含量+替位碳含量+碳沉淀 氧含量对硅材料质量的影响； 碳含量对硅材料质量的影响； 4、SIMS测试 各种元素含量 测试数据多，准确度高，但测试设备昂贵，测试费用较高，测试样品单一。 三、单晶硅材料质量的判断 下面将介绍通过单晶硅电阻率、少子寿命、FTIR氧碳含量的测量来掌握单晶硅的质量。 如果我们在购买单晶硅棒或硅片时，得到以下数据，就可以分析出晶棒的质量情况： （1）、晶棒的每炉投料量：80炉一般60kg； （2）、晶棒的直径：一般156mm； （3）、晶棒头部电阻率：假设1.9Ω·cm ； （4）、晶棒距头部一定长度：假设300mm； （5）、晶棒此长度上的电阻率：假设1.85 Ω·cm； （6）、晶棒的头部间隙氧含量：假设22ppma； 如下图： 此硅棒其他各点的电阻率分布为： 注意晶棒尾部从P型转成N型，但硅棒总体来讲，电阻率比较均匀。 此硅棒实际的硼含量对应的电阻率为： 硼的实际对应的电阻率是头部1.1，尾部0.7。 此硅棒对应位置切下的硅片制成电池片后衰减的分布曲线为： 头部衰减可达5%,晶棒尾部的衰减没有进行修正。如果此硅棒切片，则其对应电池片的衰减在4-5%，转化成效率就是衰减后损失了0.85%，也就是16.8%的效率衰减后只有15.95%！ 现在，我们将刚才的条件适当变更： （1）、晶棒的每炉投料量：80炉一般60kg； （2）、晶棒的直径：一般156mm； （3）、晶棒头部电阻率：假设1.9?2.2Ω·cm ； （4）、晶棒距头部一定长度：假设300?1000mm； （5）、晶棒此长度上的电阻率：假设1.85 ?1.4Ω·cm； （6）、晶棒的头部间隙氧含量：假设22ppma； 则如下图： 此硅棒实际的硼含量对应的电阻率为： 此硅棒对应位置切下的硅片制成电池片后衰减的分布曲线为： 头部衰减为2.8%, 如果此硅棒切片，则其对应电池片的衰减在2-3%，转化成效率就是衰减后损失了0.5%，也就是16.8%的效率衰减后有16.3%，较之前的效率上升0.35%。电池片厂家成本节约2%. 由此可见，提高电阻率是电池片生产企业降低成本的一个手段。但如果提高了电阻率会不会对串联电阻产生较大的影响呢？ 扩散、烧结工艺的优化可以抵消硅片电阻率对串联电阻的影响。 到此，似乎已经得出了结果，但实际上问题并没有结束，涉及到电阻率的问题本身又是一个复杂的问题。比如硅材料的