电池工艺学习报告.docVIP

太阳能电池片结构太阳能电池分为单晶电池和多晶电池， 太阳能电池分为单晶电池和多晶电池，但是它们 的结构基本一样， 的结构基本一样，都有以下部分组成表面细栅线 表面主栅线 绒面 蓝色氮化硅 扩散层 硅基体 铝硅形成背面 太阳能的电池片结构单晶与多晶的区别： 单晶与多晶的区别： 当熔融的单质硅凝固硅原子以金刚石晶格排列成许 多晶核， 多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒而 形成单晶硅，若这些晶核长成晶取向不同的晶粒， 形成单晶硅，若这些晶核长成晶取向不同的晶粒， 形成多晶硅。 形成多晶硅。 单晶硅：纯度高， 单晶硅：纯度高，是一种良好 的半导体材料主要 用于制作半导体元件， 用于制作半导体元件，多晶硅是制作单晶硅的材料 单晶硅与多晶硅的区别它们的原子结构排列： 单晶硅与多晶硅的区别它们的原子结构排列：单晶 有序排列， 有序排列，多晶为无序排列 太阳能电池片工艺流程清洗与制绒 清洗与制绒 扩散 边缘蚀刻 边缘蚀刻 印刷电 印刷电极 PECVD 去磷硅玻璃 烧结 分选测试 检验入 检验入库 制绒一、制绒工艺目的： 制绒工艺目的： 1、消除表面硅片有机物和金属杂质 、 2、去除硅片表面机械损伤层 、 3、在硅片表面形成起伏不平的绒面，增加太阳光的吸收，减 、在硅片表面形成起伏不平的绒面，增加太阳光的吸收， 少反射 二、制绒的原理： 制绒的原理： 利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀，即硅在(110)及 利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀，即硅在 及 (100)晶面的腐蚀速率远大于 晶面的腐蚀速率远大于(111)晶面的腐蚀速率。经一定 晶面的腐蚀速率。 晶面的腐蚀速率远大于 晶面的腐蚀速率 时间腐蚀后， 单晶硅片表面留下四个由(111)面组成 时间腐蚀后，在(100)单晶硅片表面留下四个由 单晶硅片表面留下四个由 面组成 的金字塔 绒面形成的机理： 三、绒面形成的机理： A、金字塔从硅片缺陷处产生； 、金字塔从硅片缺陷处产生； B、缺陷和表面沾污造成金字塔形成 、 制绒 C、化学反应产生的硅水合物不易溶解，从而导致金字 、化学反应产生的硅水合物不易溶解， 塔形成； 塔形成； D、异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。 、异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。 硅对碱的择优腐蚀是金字塔形成的本质，缺陷、 硅对碱的择优腐蚀是金字塔形成的本质，缺陷、沾 污、异丙醇及硅酸钠含量会影响金字塔的连续性及金 字塔大小。 字塔大小。 为什么要形成金字塔？ 四、为什么要形成金字塔？ 这样利用陷光原理，减少光的反射， 这样利用陷光原理，减少光的反射，提高短路电流 (Isc)，增加 结面积，最终提高电池的光电转换效 结面积， ，增加PN结面积 率。 五、制绒的工艺流程 制绒 1、单晶制绒工艺： 、单晶制绒工艺： NaOH，Na2SiO3，IPA混合体系进行硅片制绒。 混合体系进行硅片制绒。 ， ， 混合体系进行硅片制绒 配比要求： 浓度0.8wt%-2wt%； Na2SiO3浓度 配比要求： NaOH浓度 浓度 ； 浓度 0.8wt%-2wt%；IPA浓度 浓度5vol%-8vol%。 ； 浓度 。 制绒时间： 制绒时间：25-35min，制绒温度 ，制绒温度75-90oC 2、多晶制绒工艺： 、多晶制绒工艺： HNO3，HF，DI Water 混合体系。常用的两个溶液配比 混合体系。 ， ， 大致如下： 大致如下： HNO3：HF：DI Water= 3：1：2.7； ： ： ： ： ； HNO3：HF：DI Water= 1：2.7：2 ： ： ： ： 制绒温度6-10℃，制绒时间 制绒温度 ℃ 制绒时间120-300sec 制绒对单晶制绒影响的因子： 对单晶制绒影响的因子： 1、温度：温度过高，IPA挥发加剧，气泡印就会随之出现，这 挥发加剧， 、温度：温度过高， 挥发加剧 气泡印就会随之出现， 样就大大减少了PN结的有效面积 反应加剧， 结的有效面积， 样就大大减少了 结的有效面积，反应加剧，还会出现片子的 漂浮，造成碎片率的增加；同时腐蚀速率过快，控制困难； 漂浮，造成碎片率的增加；同时腐蚀速率过快，控制困难；温度 过低，腐蚀速率过慢，制绒周期延长； 过低，腐蚀速率过慢，制绒周期延长； 制绒温度范围：75-90oC 制绒温度范围： 2、IPA：(1).协助氢气的释放。IPA不足时，会导致氢气会粘附 协助氢气的释放。 不足时， 、 ： 协助氢气的释放 不足时 在硅片表面，造成硅片漂浮。 减弱 减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀 在硅片表面，造成硅片漂浮。(2).减弱 溶液对硅片的腐蚀 力度，调节各向因子。 力度，调节各向因子。纯NaOH溶液在高温下对原子排列比较稀 溶液在高温下对原子排列比较稀 疏的100晶面和比较致密的 晶面和比较致密的111晶面破坏比较大，各