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第1章引言作为一门新兴的交叉学科，纳米技术对物理学、化学、生物学、材料学、电子学、力学以及微加工技术等领域正在产生深远的影响，其中准一维纳米材料与结构是纳米技术的一个重要分支。所谓一维纳米结构，是指在三维空间中有两维处于纳米尺度，如纳米线、纳米管、纳米棒、纳米带以及纳米链球等。Si纳米线（SiNW）作为一类重要的一维半导体纳米材料，在场发射特性、电子输运特性、光荧光以及热传导特性等方向与体材料有着显著的不同。在各种纳米线结构中，Si纳米线具有制备方法简单、易于大面积合成、并与常规的Si微电子工艺具有很好兼容能力的优点，因此在纳米光电子器件方面具有很好的应用前景，是纳米光电子学领域中一个热点课题，引起了人们浓厚的研究兴趣[1-5]。1.1Si纳米线发光特性的研究进展Si是现代半导体集成电路与信息产业发展的基础材料，在微电子器件与集成电路中已获得成功应用。但是由于Si是间接带隙半导体，不能发出可见光，因而限制了在光电子器件中的应用。经研究证实，利用Si纳米线的量子限制效应，可以实现高效率发光，这使得它在光电子器件的应用变为可能，并在在光电集成领域具有很大的发展潜力[6]。下面，简单介绍近年来国内外对Si纳米线PL特性的研究进展。Holmes等[7]报道了在N2和Ar(5%H2)气氛下所合成的Si纳米线，在3.75eV观测到强烈的PL现象，仅在1.9eV时会漂移到能量较低的峰位，他们认为这可能是由表面氧化物层引起的。室温下的PL光谱的峰值分别位于624nm(1.99eV)和783nm(1.58eV)，且峰值较宽，两个峰值的峰值半宽约为160nm。研究认为，PL谱峰较宽可能是由于Si纳米线较宽的直径分布所引起。而在He气氛中合成的Si纳米线中没有观测到PL光谱，这可能是由于其直径较大而不能产生明显的量子效应引起的[8]。Bai等[9]以Si粉为原料和铁粉为催化剂，采用热气相沉积法于1200℃下制备出了直径均匀(约15nm)的Si纳米线。并在室温下采用波长为313.5nm的激光对Si纳米线进行了PL测试，发现所制备的Si纳米线具有3个峰，峰位分别位于红光、绿光和蓝光区。他们认为，绿光和蓝光是由非晶SiO2壳层和晶态Si的界面引起的发光中心所导致，而红光则来自Si纳米线芯部。随着SiO2壳层增加，芯部的Si纳米线直径减小，红光峰位蓝移，且发光强度增强，此现象可以由量子限制效应来解释。Feng等[10]利用物理蒸发方法，将Si（95wt%）和Fe（5wt%）的混合粉末置入管式炉中，在温度为1200℃和Ar气氛围保护下生长20小时，合成了直径约为13nm的Si纳米线。对制备的Si纳米线在不同温度下进行氧化发现，PL谱的红光峰发生了蓝移，其发光强度也随之发生变化。进一步的分析认为，这些是由于Si纳米线量子限制效应所引起的。2004年，Schubert等[11]利用分子束外延技术（MBE）制备出了直径为70-200nm的Si纳米线。分析指出，采用此种方法制备出的纳米线中的Si不仅来源于分子束直接扩散到合金液滴中的的Si，衬底表面的Si同时也扩散到了合金液滴中，并且参与了Si纳米线的生长。结果表明，金属在这里并不是起到催化剂的作用，因为其中的Si原子是直接由分子束提供的。同年，Qiu等[12]对采用自组织方法制备出了由Ag覆盖的Si纳米线，并观测到远紫外光发射，其谱峰位于330nm，他们将这种PL特性归因于Ag空位缺陷。Qi等[13]以铁粉为催化剂和Si粉为原料，利用激光烧蚀方法制备了直径为20nm，具有SiO2外层的芯壳结构的Si纳米线。经PL测量发现，在绿光区和红光区有两个强烈的PL峰，峰值分别位于455nm和525nm。其中，455nm的绿峰位置与Bai等所得到的分析结果是一致的。他们认为，绿光是由二氧化Si外层的缺陷中心引起的，而525nm处的蓝光则与Feng等人所观察到的发光峰类似，认为来自芯壳的界面。由于直径较大的Si纳米线不存在量子限制效应，它不能发出可见光，因此绿光和蓝光并不是由Si纳米线的量子限制效应引起的。陈翌庆等[14]采用热蒸发法与溶胶-凝胶法相结合，成功制备出大量非晶SiO2纳米线。在低温（14K）下测量PL光谱，发现平均直径为150nm和15nm的非晶SiO2纳米线表现出明显的不同。前者的发光谱带为峰值分别在494nm（2.51eV）和429nm（2.89eV）附近的两个蓝光发射带。而后者除了在496nm(2.5eV)有一个宽的蓝光带外，在375nm（3.32eV）、385nm(3.22eV)和395nm（3.13eV）处还表现出三个明显的紫外发光峰位。分析认为，这些蓝光带的产生是由于非晶SiO2纳米线中的氧空位缺陷中心引起的。而直径为15nm的非晶SiO2纳米线的发光强度是直径为150nm纳米线的6倍多，表现出明显的量