ba0.8sr0.2tio3cofe2o4多铁薄膜的制备及性能研究word格式论文.docxVIP

1绪论多铁性材料是指材料的同一相中包含两种及两种以上初级铁性功能材料，这些铁性主要包括铁电性（反铁电性），铁磁性（亚铁磁性、反铁磁性）和铁弹性[1]，由于它们的同时存在而引起磁电耦合效应[2,3,4]，磁电耦合效应指材料的铁电性与铁磁性可以相互影响，即外加电场可以诱发材料的铁电性也能诱发其铁磁性，同样，外加磁场也可以诱发材料的铁电性与铁磁性，由于这种特性，使多铁材料能在传感器、存储器、换能器等诸多领域都有着巨大的应用前景[5-11]，论文选题就是从多铁材料应用在相控阵移相器领域出发，力求深入探索研究BST/CFO复合多铁薄膜的制备工艺与性能，为多铁材料的应用打下基础。1.1多铁材料概述多铁材料是一个具有悠久历史的课题，早在1894年，法国物理学家CurieP就预言了磁电效应的存在，此后就开始了关于磁电效应的研究。而磁电效应首次被观察到则是在1961 年，前苏联科学家Astrov 等人研究晶体时发现的[12]。然而Cr2O3晶体的磁电效应比较弱，接下来的研究方向很多都是在单相的多铁磁电材料，在十多种单相材料中也发现磁电耦合效应，然而天然的单相多铁磁电材料中的磁电耦合效应都不强，所以多铁磁电材料的研究在很长的一段时间内都进展缓慢[13]，近年来，由于技术的发展，掺杂、制备超晶格、复合薄膜的手段的应用，以及多铁材料具有的特殊的物理效应[14]，为信息储存、高压输电线路的电流测量、多功能电子设备等都提供了新的应用前景，使其成为国内外研究的一个热点[15]。多铁材料分单相多重铁性材料与复合多重铁性两种，单相多铁性材料是指同时表现出铁电性和铁磁性的单相化合物。复合多铁性材料是一种新型多功能材料，是将铁电相与铁磁相材料经一定的方法复合形成的, 不仅具有前者的压电效应和后者的磁致伸缩效应, 而且还能产生出新的磁电转换效应，这种效应是铁电相与铁磁相的乘积效应[16-17]。同时具有铁电与铁磁性的材料较少，目前人们所知道的单相磁电多重铁性材料主要包括铋类钙钛矿(BiFeO3或BiMnO3等)和锰酸盐体系（或者稀土钙钛矿类如ReMnxOy等）。作为一种典型的单相多重铁性材料，BiFeO3是目前所知道的，在室温下同时具有铁电性和磁性的唯一一个多重铁性材料，其铁电居里温度为1100K，反铁磁尼尔温度为650K，两个相变温度都很高，因此具有很大的应用前景，使其成为近几年研究的热点。但是纯BiFeO3的磁电效应比较弱，而且存在电阻率过低，漏导过大等缺点，这限制了它在磁电功能材料上的应用。由于单相多铁材料磁电耦合系数太小且有限[18-21]，人们把更多的注意力集中在复合多铁材料上，相对于单相磁电材料，复合多铁性材料具有较高的尼尔和居里温度，磁电转换系数较大等诸多优点。人们制备了许多具有磁电耦合效应的复合结构，即将压电材料和压磁材料按照某种空间构型复合在一起，形成人工结构，通过两者之间力学本构关系的耦合形成磁电耦合效应的体系[22]。目前，已经制备出很多种复合多铁材料，其中有Ni(Co，Mn)Fe2O3与BiFeO3，CFO与PZT，BFO,NiFe2O4与PZT等等，材料的类型有薄膜也有块材。而多铁薄膜材料在更多的领域的应用使其相对块材而言有更多的研究。薄膜材料中，常见的复合薄膜有两种，一种是把铁电材料与铁磁材料均匀混合成一个多铁薄膜，另一种是直接在一种材料的薄膜上直接溅射另一种材料，做成双层结构的复合薄膜[23]。1.2多铁材料国内外研究现状多铁材料的研究现在成为了国内外研究的一个热点，不管是单相多铁材料还是复合多铁材料都进行了很广泛的研究。单相多铁材料一般集中在钙钛矿结构的氧化物。而BiFeO3是研究的最多的具有钙钛矿型结构的单相多铁性材料。由于单相多铁材料的一些限制，复合多铁材料逐渐成为人们研究的重点，复合多铁材料有把铁电材料的粉末与铁磁材料的粉末混合均匀烧结成多铁复合材料，也有通过薄膜生长，把一层或者几层铁电薄膜，铁磁薄膜沉积成复合多铁薄膜，本文采用的就是把铁电材料与铁磁材料的薄膜直接复合在一起，制备复合多铁材料。铁磁材料及CoFe2O4(CFO)原子磁矩来源于原子核和原子中电子的轨道运转与自旋。不过原子核的磁矩很小，所以一般原子磁矩指的是电子的磁矩。原子中电子的轨道是绕原子核运动，形成环形电流，环形电流产生磁场，这就构成了原子磁矩的主要部分。电子的自旋同样也能产生磁场。相邻的，原子磁矩方向相同的原子组成一个磁畴，磁畴与磁畴之间叫做磁畴壁，最初的时候，磁畴方向随机分布，从宏观的上看物体没有磁化。当外界磁场逐渐增大，与外加磁场不同方向的原子磁矩会受到一个磁力的作用，这个作用使原子磁矩转向到与外加磁场一致，于是磁畴壁被打破，物体内部与外界磁场方向一致的原子磁矩原来越多。最后达到饱和状态，此时再增加外界磁场对物体的磁化率增强贡献不大。此时物体达到饱和磁化率