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bifeo3bi3.25la0.75ti3o12双层多铁薄膜的制备及性能研究word格式论文.docx

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bifeo3bi3.25la0.75ti3o12双层多铁薄膜的制备及性能研究word格式论文

摘要近几年来,多铁材料由于其同时具有铁电性和铁磁性而成为人们研究的焦点,被认为在信息存储、自旋电子器件、传感器等领域有广阔的应用前景。在单相多铁材料中,BiFeO3(BFO)是极少数在室温下同时具有铁电性和铁磁性的材料,备受人们的青睐。本论文在对BFO靶材和薄膜条件、性能测试表征的基础上,进一步探索研究了BFO/BLT双层薄膜的最佳制备工艺与多铁性能。针对BFO 材料对温度敏感而难以获得纯相的样品,制备BFO靶材使用改进的固相烧结工艺,升温过程采用快速升温的方法,迅速升温至820℃保持20min后降到室温。由于升温速度很快,跳过了BFO材料极为敏感的温度区间,从而避免了杂相的生成。在成功制备出纯相的可用于溅射的BFO靶材的基础上,使用磁控溅射法制备BFO薄膜,通过调节不同的工艺参数,得到了磁控溅射法制备BFO 薄膜的最佳工艺。采用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了BLT铁电薄膜。薄膜呈随机取向,没有杂相的生成;且具有很好的铁电性,2Pr为36.4μC/cm2,2Ec约为246 kV/cm。通过制备BFO/BLT双层薄膜结构改善了薄膜性能。BLT层的引入在一定程度上抑制了BFO中少量的杂相,而且抑制了BFO薄膜中存在的部分晶粒异常长大现象。由于BFO 薄膜晶粒的均匀性致密性得到改善等原因,薄膜样品漏电流性质得到改善,漏电流密度下降了一到两个数量级。由于漏电流密度的减小,使样品可以承受更高的测试电压而不被击穿,得到了饱和的电滞回线,铁电性得到了极大的改善,2Pr 为12.4μC/cm2。关键词:多铁材料;铁酸铋;溶胶-凝胶;射频磁控溅射;BFO/BLT双层薄膜AbstractMultiferroic materials have receivedconsiderable attention inthe last fewyears due totheircombinationofferroelectricorderandferromagneticorderandpotentialfor applicationssuchasdata-storage,spinelectronics,transducerandsoon.BiFeO3(BFO) belongstothosefewsingle-phasemultiferroicmaterialswhichsimultaneouslyshowbothferroelectricityandferromagnetismatroomtemperature.Inthisthesis,weoptimizedthefabricationprocessofBFOceramicandthinfilmandfurtherimprovedthefilmperformancebyintroducingBFO/BLTbi-layerfilmstructure.ToovercometheobstaclethatBFOistootemperaturesensitivetoattainpurephase,improvedsolid-statereactiontechnologywasemployed,inwhichprocesstheBFOtargetwassinteredat820℃forabout20minwithahighheatingrateof100℃/s.Asthetemperatureincreasedrapidly,thetemperaturerangefortheformation ofimpurephasewas skiped,Whichinturnavoidtheimpurephase.BasedonthesuccessfulfabricationofpurephaseBFOtarget,wefurther depositedBFOthinfilmsusingRF-magnetronsputtering,andobtainedtheoptimalfabricationparameters.High-quality,purephaseBFOthinfilmswerefabricated.TheBLTthinfilmsweredepositedonPt/TiO2/SiO2/p-Si(100)substratebySol-Gelmethod.Thefilmsshowrandomgrainorientation,pureBFOphaseandexcellentferroelectricpropertieswith2Prof36.4μC/cm2and2Ecof246kV/cm.TheintroductionofBFO/BLTbi-layerfurtherimprovedthe

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