bifeo3薄膜的制备及其铁性分析word格式论文.docxVIP

第 1 章引 言随着器件和系统向着小型化、多功能化方向发展，微电子、光电子、微电子机械等 对铁电材料提出了薄膜化、集成化等要求。在此背景下，将铁电材料工艺与半导体材料 工艺相结合成为研究的重点。1.1铁电薄膜材料的性质铁电薄膜材料具有一系列独特的性质，如高介电性、铁电性、压电性、热释电性、 电光特性、声光特性、非线性光学等，由于具有如此多的性质使得其在微电子学、光电 子学、集成铁电学等高科技领域中具有重要的应用[1-4]。铁电材料还可与半导体材料集 成，制成铁电/半导体集成器件，特别是在制备非易失性铁电存储器(NvFeRAM)，动态 随机存储器，传感器等方面，铁电薄膜已成为首选材料之一。铁电薄膜的性能具有几个 重要的参数：自发极化、极化反转与电滞回线、铁电相变和电畴等。铁电性：铁电材料具有两个或多个可能的自发极化取向，且自发极化的方向在外电 场的作用下可以发生改变。在外加电场为零时自发产生的这种极化状态称之为自发极 化；但在交变外电场 E 的作用下，极化强度和外加电场之间有如图 1.1 所示的非线性关 系，称为电滞回线(hysteresis loop)。图 1.1 铁电体的电滞回线铁电相变：铁电体具有一个重要的特征参量就是相变温度，也叫居里温度(Tc)。当 温度超过此临界值时，极化就会消失，铁电体就从铁电相(ferroelectric)转变为顺电相(paraelectric)。铁电相变使晶体中的原子或原子团的分布从有序（铁电相）变为无序（顺电相），铁电性消失。 介电性：当温度高于材料的居里温度时，晶体铁电性消失，并且晶格常数亦发生改变，介电常数常常会急剧增大，介电系数随温度变化的关系遵守居里-外斯定律。因此 绝大多数铁电体都具有较高的介电常数。铁电薄膜较高的介电性能使得它在存储器件中 具有广泛的应用。此外，铁电体还具有压电性、热释电性。电介质在外力作用下使晶体发生极化引起 表面电荷效应称为压电效应。当一些晶体受热时，由于温度的变化引起极化状态改变的 现象称为热释电效应。1.2 铁电体及铁电薄膜材料的研究进展铁电材料是一类重要的高新信息功能材料，在众多领域有着广泛的应用。“铁电性” 的概念[5-7]最早的由法国人Valasek在发现罗西盐之后首次提出来的。之后人们又发现了 许多介电晶体，这些材料都可以以正、负电荷重心不重合的电极化方式传递和记录信息。 随着科技的进步和薄膜工艺的日益完善，人们又致力于铁电薄膜材料的研究。近年来，铁电材料的研究取得了不少新进展，其中主要有以下几个方面：1、第一性原理的计算。对铁电性起因方面的问题人们还没有解决，如Pb(ZrxTi1-x)O3、 BaTiO3、PbTiO3、KNbO3和LiTaO3等材料具有铁电性，而结构相似的SrTiO3却没有铁电 性。随着高速计算机的发展和现在能带结构知识体系的完善，人们通过第一性原理计算 可以计算出材料的结构、性质、电子密度分布以及自发极化强度等重要结果，并取得了 很大的进展。2、尺寸效应的研究。近年来，随着对铁电薄膜材料研究的深入，人们从实验、理 论等方面深入研究了铁电尺寸效应，对自发极化、相变温度和节点极化率等问题随尺寸 变化的规律做到理论上的预言，并计算了一些典型铁电体的铁电临界尺寸。3、铁电聚合物、铁电液晶的基础研究和应用研究。Meyer 等人首次发现由手性分 子组成的倾斜层状 C 相液晶材料具有铁电性。在性能方面，铁电液晶在电光显示和非线 性光学方面有着很大的优势，其响应速度较快，比普通丝状液晶高几个数量级。4、集成铁电体的研究。由于铁电材料在铁电存储器方面具有广泛的应用，而且随 着器件小型化的发展趋势，把铁电薄膜与半导体集成的铁电存储器受到了人们的广泛研究。铁电薄膜的制备、表征和特性的研究以及对多层膜和异质结构等的研究都取得了较 大的进展，但是铁电薄膜的研究中尚存在一些问题，主要有[8,9]：(1)制备、加工温度较 高；(2)应大力发展性能优异、对人体无害的非铅基铁电薄膜材料；(3)铁电薄膜表面或 者异质结界面间的扩散还不能完全控制；(4)铁电疲劳问题和保持特性限制了铁电薄膜的 广泛应用。BiFeO3材料简介BiFeO3概述BiFeO3是目前唯一在室温条件下同时具有铁电性和寄生弱铁磁性的铁电磁体[10]，具 有高的铁电居里温度(Tc~850 ℃)和反铁磁奈尔温度(TN~370 ℃)。1957 年Royen和Swars 两人首次合成BiFeO3多铁性材料。直到 1969 年Michel[11]研究发现了BiFeO3的晶体结构。 近年来有很多小组对BiFeO3进行研究[12-17]。然而，关于BiFeO3的物理性质、在制备过程 中容易发生铁价态波动以及较大漏电流等问题的研究尚不明确。随着近年来薄膜制备技 术的发展，人们逐渐制备出了高质量和性能优异的多