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36.9%IACS. The comprehensive performances of alloy are significantly improved. The multi-stage ageing treatments can significantly improve the comprehensive performances of CuNiSi alloy, such as after the third age stage, the tensile strength and the electrical conductive rate, respectively achieves to 701MPa and 49.3%IACS, which is significantly higher than the 633MPa and 45.6%IACS of the second age stage and the comprehensive performance is much higher than a single aging process.The adding amount of the alloy element Ni and Si can significantly influence the recrystallization behavior of CuNiSi alloy. The higher amount of the alloy element Ni and Si, the process of the recrystallization process is slower, and the recrystallization temperature is higher.Transmission electron microscopy studies show that the precipitation phase is Ni2Si during CuNiSi alloy ageing process. With the increasing of the ageing time and the ageing temperature, the precipitation phase of CuNiSi alloy has a trend to grow up, to make the strength of the alloy reducing and the electrical conductive rate increasing.KEY WORDS: CuNiSi alloy, valence electron structure, recrystallization behavior, EET theory, agingDissertation Type: Application Fundamental Research第1章 绪论1.1 前言铜的开发应用具有悠久的历史,曾是人类文明史上的里程碑和划时代的标 志。在当今现代化社会,随着人们物质文化生活水平的提高和信息时代的到来, 铜已经并将继续成为人类生活不可替代的重要基础材料。铜具有导电、导热、耐 蚀、可镀、抑菌、可焊、色泽、耐磨、无磁性、易加工等一系列优异的性能,在 电气电子、建筑装饰、军工、机械、交通运输、海洋工程、航空航天等领域应用 十分广泛,在人类生活和国民经济中起着巨大的作用[1,2]。铜合金的应用也十分广泛,它是历史上应用最早合金之一,也是除铝之外世 界上使用最多的有色金属材料。在全球经济飞速发展的今天,铜合金以其优良的 综合性能仍然占据着重要的地位。近年来,随着电子信息工业的发展,特别是微电子信息工业的快速发展,这 种发展的趋势对材料的材质及其品种的综合性能提出了更高的要求。而集成电路 是现代电子信息技术的核心,引线框架又是集成电路封装的主要功能性结构材 料,在集成电路中起到固定芯片、传递电信号、向外散发元件热量等作用,因此 引线框架在集成电路元器件和各组装过程中占有极重要的地位,成为制约集成电 路发展的关键问题。国内外迄今已被开发应用的性能比较突出的引线框架材料主 要有铁镍合金和铜合金两大类。铁镍合金是传统的优良引线框架材料,在集成电 路问世初期是引线框架主要材料。它具有强度高的优点,同时也具有是价格昂 贵、导电性和导热性都比较差的缺点,不过在当时它还是基本能满足所需材料的 要求的。在 80 年代初期,铜合金以其优良的导电性、导热性、价格低廉以及加 工成型性好等优势,逐渐代替了铁镍合金,成为制造引线框架的主要材料,也逐 渐成为人们研究的热点。目前在世界范围内,引线框架材料产量中铜合金占到 85%以上[3-6]。随
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