ebpvd制备高硅钢箔及后处理工艺研究word格式论文.docx

摘要高硅钢具有优异的软磁性能，如中高频铁损低，磁导率高，矫顽力小， 磁滞伸缩接近于零等。而且，高硅钢的厚度对磁性能有非常大的影响，厚度 越薄高频铁损就越低。高硅钢特别适合应用于高频高速电机、中高频变压器 和电抗器等。但由于高硅硅钢的塑性加工性能很差，极大地限制了它的应 用。高硅钢箔（一般指厚度为 0.02～0.2mm 的板材）的制备工艺方法已成 为本领域的一个重要的研究热点。目前，高硅钢箔制备工艺研究领域关注的 热点主要有快凝法、特殊轧制法和 CVD 法等，其中只有 CVD 法制备品的 质量可以被接受，但由于 CVD 也存在设备维护及环境污染等难以解决的问 题而严重制约其大范围应用。电子束物理气相沉积工艺具有沉积速率高、无污染且易于制备厚度从数 十微米到数百微米箔的特点，可望能够成为一种制备高硅钢箔的理想工艺方 法。本文就此开展了相关研究，并获得了令人鼓舞的研究结果。最终获得的高硅钢箔厚度为 64μm，密度为 7.5 g/cm3，饱和磁化强度为 1.88T，矫顽力最小值为 1.89Oe，铁损 P1/10k 最小值为 8.2 W/kg, 为 0.1mm 取向硅钢同条件下铁损的 45.6%，P0.5/20k 和最小值 5.2 W/kg，为 0.1mm 取向 硅钢同条件下铁损的 37.1%。通过试验研究和理论分析表明，以 Fe-6.5wt.%Si 单源 EB-PVD 工艺不 能制备出高硅钢箔；而采用 Fe-Si 双源 EB-PVD 工艺可以制备出高硅钢 箔；而且制备时，靶基距越高，硅钢箔中硅含量越低；在本试验条件下，只 有当靶基距小于等于 415 mm 时才可以制备出高硅钢箔。EB-PVD 制备态高 硅钢箔密度为 7.26g/cm3, 是其理论密度的 97%，电阻率为 90μ?·cm，高于 理论值 82μ?·cm，而饱和磁化强度为 1.73T, 低于理论值 1.8T。这说明制备 态硅钢箔电磁性能较好，但仍需进行后处理改善。采用 XRD、EDS、SEM 和 M?ssbauer 等手段对制备的高硅钢箔组织形 貌和结构进行了分析表征。研究发现：静止基板下获得的高硅钢箔靠近基板 侧、中间部位和背离基板侧存在不同有序度、织构度的 Fe(Si)固溶体和形貌 组织。靠近基板侧高硅钢箔由无择优取向的无序固溶体 A2 组成，而中间部 位和背离基板侧高硅钢箔都由存在明显（100）择优取向的有序固溶体 B2 组 成，且背离基板侧高硅钢箔的（100）择优取向程度比中间部位高。高硅钢 箔截面由靠近基板侧的细小等轴晶和从靠近基板侧到背离基板侧直径逐渐增加的柱状晶组成，其中背离基板侧处 柱状晶的平均直径为 25~50μm。同 样，旋转基板下制备的高硅钢箔两侧 Fe(Si)固溶体有序度、织构程度和截面 形貌也不同。靠近基板侧由无择优取向的有序相 DO3 组成，而背离基板侧 由含有弱（110）择优取向的有序相 B2 组成。高硅钢箔截面的组织由等轴 晶-柱状晶-等轴晶-柱状晶组成，且柱状晶的直径离基板侧越远而越大，在 背离基板处柱状晶的直径达到 2~3μm。通过逐层分析制备态硅钢箔的相组成和形貌变化，提出了电子束物理气 相沉积过程中高硅钢薄箔的生长机理，即无规形核-竞争生长。开始沉积时 蒸气原子在基板上随机形核，形成的晶粒为无择优取向的细小等轴晶；随着 沉积过程的继续，有些特殊位相的晶粒易于生长而被保留下来，形成的晶粒 为柱状晶，且直径越来越大，织构度越来越明显。通过试验研究表明，高温快速退火工艺不但不能使高硅钢箔的密度增加，反而导致其致密度下降，出现了几乎垂直于试样表面的柱柱状晶间的 “一”字形孔和平行于试样表面的等轴晶和柱状晶界面处的“一”字形孔。 相反，热压处理能使高硅钢箔致密化。压强从 30MPa 增加到 60MPa，硅钢 箔的密度从 7.2 g/cm3 增加到 7.5 g/cm3 ，饱和磁化强度由 1.74T 增加到 1.88T。真空退火能明显改善高硅钢箔的软磁性能，矫顽力 Hc 由 6.87Oe 降 低至最小值 1.89Oe，剩磁 MR 由 593G 减小到最小值 132G。关键词 高硅钢箔；电子束物理气相沉积；致密化；铁损；电阻率AbstractHigh Si steel has excellent magnetic properties, such as low core loss in medium and high frequency, high permeability, low coercive force and almost zero magnetostriction. Also, the core loss is lower when the thickness is smaller. It is especially suitable