数字电路第四版 第3章 逻辑门电路.ppt

第三章 逻辑门电路 §1 逻辑门电路 门：具有开关作用。 门电路：具有控制信号通过或不通过能力的电路。 二、半导体二极管的开关特性 ⒉动态特性 三、半导体三极管的开关特性 ⒈开关作用（续） 例1:计算图示电路的临界饱和电流。 ⒉动态特性 四、基本门电路 ⒈二极管与门(续) ⒉ 二极管或门（D或门） ⑶符号 ⒊ 晶体管非门 (反相器) ⒋ 复合门 正负逻辑约定举例 ⒊ 正负逻辑转换（只需了解） 正负逻辑转换举例 §2 TTL集成门电路(与非门) 一、电路 工作原理小结: TTL集成电路的外特性： 电压传输特性 VO = f(Vi) 输入/输出特性 三、电压传输特性 电压传输特性分析 ⒉几个参数 几个参数（续） ⒊噪声容限 四、输入/输出特性 输入伏安特性(续1) 输入伏安特性(续2) 开门电阻 RON ⒊输出特性Vo = f( io ) io :负载电流 ⑵输出高电平 ⒈主要性能（续） 六、二种特殊门 2)电平转移功能 ⒉三态门电路 通常数字逻辑是二值的，即仅0，1值，其所对应电路的输出电平是高、低两种状态。在实际电路中，还有一种输出为高阻抗的状态(既非高电平又非低电平的状态) ，被称之为第三状态。于是数字电路的输出就有：0、1和Z（高阻）的三种状态。具有这种功能输出的电路称三态逻辑电路或称三态门电路。 §3 CMOS集成门电路 ⒊符号及导通条件 二、CMOS与非门 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理（续） 三、CMOS或非门 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理（续） ⒉工作原理（续2） 3）加晶体管驱动 加晶体管驱动LED ⒊多余端处理 ⒋ CMOS器件应用注意 本章要求： 例2 P80题图3－13 (b) 例2 P80题图3－13 (a) 两个三态门组成的电路， 门1为低电平使能 门2为高电平使能 ——实现数据的双向传输 E=0，门1导通，门2禁止，数据从A?B E=1，门2导通，门1禁止，数据从B?A ⑷三态门用途（续） 知识复习： ⒈ MOS管分类 PMOS管:结构简单,工作速度低,负电源工作。 NMOS管:工艺复杂，正电源工作。 CMOS管:PMOS管和NMOS管组成互补电路。 ⒉工作区 TTL: 截止 放大 饱和 CMOS: 截止 饱和 非饱和 相当开关电路: 断开 接通 VN D S G S D G VP PMOS管 NMOS管 VGS＜VTP 时导通 取:VTP =－2V VGS＞VTN 时导通 取:VTN =2V 即:|VGS | ＞ |VTP |= 2V 时导通 ⑴静态功耗小。（约10μW） ⑵允许电源电压范围宽。（3?18V） ⑶扇出系数大。（带同类负载N≥50） ⑷抗噪容限大。（Vth=1/2VDD） ⒋ CMOS电路的特点 最大提供电流1.5mA ⑸速度较低。（tpd=40 nS） CMOS电路导通时阻抗较大（1KΩ），由于分布电容Co的存在，电平高低变化时充放电较慢，影响其工作速度。 NMOS管驱动管 PMOS管负载管 一、CMOS反相器 VDD A F SP DN GP VP VN DP SN GN 漏极相连做输出端 PMOS管的衬底总是接到电路的最高电位 NMOS管的衬底总是接到电路的最低电位 柵极相连做输入端 ⒈电路 A=1 导通 截止 V０=0V 即F＝0 VDD A F VP VN ⒉工作原理 设VDD＝10V，A＝1时，VA＝10V A＝0时，VA＝0 V VgsP=0 V VgsN=10 V ⒉工作原理（续） A=0 截止 导通 V０=10V 即F＝1 VDD A F VP VN 设VDD＝10V，A＝1时，VA＝10V A＝0时，VA＝0 V VgsP=－10 V VgsN=0 V A VP VN F 0 导通 截止 1 1 截止 导通 0 结论： VDD C D A B 1/2VDD 1/2VDD VDD O vO vI VTP VTN ⑴电压传输特性 AB段：VP导通， VN截止。 VO=VOH≈VDD CD段： VN导通， VP截止。 VO=VOL≈0 CMOS反相器的电压传输特性接近于理想的反相器。 BC段： VP、VN都导通， VP 、VN内阻变化， VO= VDD?0 ⒊电压电流传输特性