第一章-陶瓷材料制备.ppt

利用外场的活化作用实现低温快速烧结致密化的一种烧结技术，常见电火花/等离子烧结技术（Spark Plasma Sintering, SPS）。 2. 场活化烧结技术 电压30V，脉冲电流2000～20000A，脉冲时间1～300ms 第一阶段：产生电火花或等离子弧，表面的氧化膜和杂质被清除，粉末颗粒直接接触并发生烧结形成烧结颈；第二阶段：施加大的直流和压力，使粉体致密化。 脉冲电流通过粉体粒子 SPS设备工作原理、工艺参数和应用详见文献。(张久兴 等，粉末冶金技术，2002，20（3）：129－134). SPS的工艺优势: 加热均匀, 升温速度快, 烧结温度低；烧结时间短, 生产效率高, 产品组织细小均匀； 能保持原材料的自然状态, 可以得到高致密度的材料, 可以烧结梯度材料以及复杂工件等。 装置操作简单、不需要专门的熟练技术。 晶界结构及原子位能图 △G △G ＊ (a) (b) 位置 自由焓 烧结后期晶粒长大示意图 50 3 4 10 6 晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，其移动可能出现三种情况： 1．晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，晶粒正常长大停止。 2．晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，这时气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。 3．晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部。由于气孔脱离晶界，再不能利用晶界这样的快速通道而排除，使烧结停止，致密度不再增加。 (3) 二次再结晶 二次再结晶是坯体中少数大晶粒尺寸的异常增加，其结果是个别晶粒的尺寸增加，这是区别于正常的晶粒长大的。 概念 简言之，当坯体中有少数大晶粒存在，这些大晶粒往往成为二次再结晶的晶核，晶粒尺寸以这些大晶粒为核心异常生长。 推动力 推动力仍然是晶界过剩 界面能！ 二次再结晶发生后，气孔进入晶粒内部，成为孤立闭气孔，不易排除，使烧结速率降低甚至停止。因为小气孔中气体的压力大，它可能迁移扩散到低气压的大气孔中去，使晶界上的气孔随晶粒长大而变大。 由于晶粒长大使气孔扩大示意图 造成二次再结晶的原因： 造成二次再结晶的原因主要是原始物料粒度不均匀及烧结温度偏高；其次是成型压力不均匀及局部有不均匀的液相等。 但是，并不是在任何情况下二次再结晶过程都是有害的。 在现代新材料的开发中常利用二次再结过程来生产一些特种材料。如铁氧体硬磁材料BaFel2019的烧结中，控制大晶粒为二次再结晶的晶核，利用二次再结晶形成择优取向，使磁畴取向一致，从而得到高磁导率的硬磁材料。 影 响 因 素 烧结温度 烧结时间 物料粒度 §4.3 影响烧结的因素 烧结温度是影响烧结的重要因素。温度升高，物料的蒸汽压增加，扩散系数增大，粘度降低，从而促进了蒸发－凝聚，离子和空位扩散以及颗粒重排和粘性塑性流动加速。 延长烧结时间一般都会不同程度地促使烧结完成，但对粘性流动机理的烧结较为明显，而对体积扩散和表面扩散机理影响较小。然而在烧结后期，不合理地延长烧结时间，有时会加剧二次再结晶作用，反而得不到充分致密的制品。 减小物料颗粒度则总表面能增大因而会有效加速烧结，这对于扩散和蒸发一冷凝机理更为突出。 但是，在实际烧结过程中，除了上述这些直接因素外，尚有许多间接的因素，例如通过控制物料的晶体结构、晶界、粒界、颗粒堆积状况和烧结气氛以及引入微量添加物等，以改变烧结条件和物料活性，同样可以有效地影响烧结速度。 1. 物料活性的影响 烧结是基于在表面张力作用下的物质迁移而实现的。因此可以通过降低物料粒度来提高活性，但单纯依靠机械粉碎来提物料分散度是有限度的，并且能量消耗也多。于是开始发展用化学方法来提高物料活性和加速烧结的工艺，即活性烧结。 活性氧化物通常是用其相应的盐类热分解制成的。实践表明，采用不同形式的母盐以及热分解条件，对所得氧化物活性有着重影响。 因此，合理选择分解温度很重要，一般说来对于给定的物料有着一个最适宜的热分解温度。温度过高会使结晶度增高、粒径变大、比表面活性下降；温度过低则可能因残留有未分解的母盐而妨碍颗粒的紧密充填和烧结。 实践证明，少量添加物常会明显地改变烧结速度，但对其作用机理的了解还是不充分的。许多试验表明，以下的作用是可能的。 (1) 与烧结物形成固溶体 当添加物能与烧结物形成固溶体时，将使晶格畸变而