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模拟电子技术课程要点（3） 1.3 晶体三极管 1.3.1晶体管的结构及类型 晶体管是用一定的工艺，在同一块半导体材料上形成具有不同掺杂类型和浓度的三个区域而制成的。这三个区分别叫发射区、基区、集电区。每个区都有一根引出线，分别叫发射极ｅ、基极ｂ、集电极ｃ。三个区之间形成两个ＰＮ结，分别为发射结和集电结。此外，根据掺杂方式的不同，可以组成两种不同类型的晶体管：即ＰＮＰ型管和ＮＰＮ型管。 重要注意点: ( 1 )晶体管的三个区在结构尺寸和掺杂浓度上有很大的不同，位于中间的基区必须做得很薄且掺杂浓度最低；而位于两侧的两个掺杂区，虽然类型相同但发射区的掺杂浓度要远大于集电区。这些差别是形成晶体管并使之能够正常工作的基本条件。 ( 2 )晶体管的电路符号。其中：ＮＰＮ型管的发射极箭头向外，而ＰＮＰ型管的的发射极箭头向内。图1.3.2（c） 1.3.2晶体管的电流放大作用（以ＮＰＮ型晶体管为例） 一、晶体管内部载流子的运动 工作电源的极性要求：对NPN管来说，（ 对PNP管来说 ）。 1、发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 ，发射结加正向电压，故发射区向基区注入大量电子（对应的电流为），但由于基区的掺杂浓度远低于发射区，所以基区向发射极扩散的空穴电流很小，因此总电流以为主。 2、扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流 由于基