晶体管原理（3-2）.pptVIP

* 3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数 （1）基区必须很薄，即 WB LB 。可利用 基区输运系数对其进行定量分析； 要使晶体管区别于两个反向串联的二极管而具有放大作用，晶体管在结构上必须满足下面两个基本条件： （2）发射区杂质总量远大于基区杂质总量，当 WE 与 WB 接近时，即要求 NE NB 。可利用 发射结注入效率 对其进行定量分析。 本节的讨论以 PNP 管为例。 定义：基区中到达集电结的少子电流 与 从发射区注入基区的少子形成的电流之比， 称为 基区输运系数，记为 。对于 PNP 管，为 由于少子空穴在基区的复合，使 JpC JpE ， 。 3.2.1 基区输运系数 由于 WB LB ，根据 2.2.6 节关于薄基区二极管的近似结果 ，可得： 以下用 pB 代表基区非平衡少子浓度 ? pn 。 这里必须采用薄基区二极管的 精确结果 ，即： pB(0) x 0 WB 近似式，忽略基区复合 精确式，考虑基区复合 pB(x) 再利用近似公式 ( x 很小时），得：