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ALD+MOCVD介绍;原子层沉积ALDAtomic layer deposition;1.原子层沉积;2.原子层沉积发展历程;3.ALD工作过程;3.1 CS-ALD (化学饱和吸附+交换反应);对于CS-ALD ，自限制归于气相前驱体PbBr2在基片表面进行的自饱和化学吸附。第二种前驱体H2S只能与吸附在基片表面的PbBr2分子进行交换反应。 由于任何系统的基片和前驱体之间可以进行化学吸附，而且适于CVD的两种前驱体，同样可以用于CS-ALD，这样CS-ALD有时被认为是较常用的一种沉积技术。;RS-ALD，即Reaction Sequence ALD。RS-ALD是在基片表面依次进行两次化学反应，通过自饱和过程实现。 以通用方程式为例，两种前驱体分子式分别表示为ML2和AN2，生长周期可分为四步：;当所有的ML功能团转换为MAN后，MAN不能与前驱体AN2反应，达到自饱和。这时，AN功能团重新出现在表面，为下一次进行RS-ALD做好准备。 这是RS-ALD的要旨所在，这也意味着，每次沉积的薄膜在化学动力学特性、组成成分、厚度等方面保持一致性。同时，由于自饱和表面反应， 使得表面沉积对气体流量与 基片表面的形状等条件不敏感， 这为沉积平坦均匀的原子层 薄膜创造了条件。;3.3 互补性;3.4 ALD技术的特征;3.4.1.1 较宽的温度窗口;3.4.1.2 较大阶梯覆盖率;3.4.1.3 自饱和性;3.4.1.5 较低的生长温度;3.4.2 ALD的前驱体;3.5 ALD的前驱体;3.6 沉积条件;3.7 硬件设计;金属有机物化学气相沉积MOCVDMetal-organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD以低温下易挥发的金属 有机化合物为前驱体，在预加热 的衬底表面发生分解、氧化或还 原反应而制成制品或薄膜。 与传统的化学气相沉积方法相比， MOCVD的沉积温度相对较低， 能沉积超薄层甚至原子层的特殊结构表面，可在不同的基 底表面沉积不同的薄膜，现已在半导体器件、金属、金属 氧化物、金属氮化物等薄膜材料的制备与研究方面得到广 泛的应用。;2.MOCVD发展历程;3.MOCVD的原理;3.MOCVD的原理;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;4.MOCVD的组件介绍;5.GaN的MOCVD生长;5.GaN的MOCVD生长;6.国外MOCVD的发展;7.AIXTRON的MOCVD;ALD+MOCVD介绍