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基于三相双开关apfc电路的分析-analysis of apfc circuit based on three-phase double switch
第一章引言近年来,随着电力电子学的发展,电力供电系统也得到了很大的发展。人们不仅要求高效率、大容量、小体积的电源,而且也对电源系统的输入功率因数和软开关技术提出了更高的要求。尤其在倡导建立环境友好型、资源节约型社会的今天,电力使用是否安全,电源能否被充分的利用变得极为重要。针对提高系统功率因数和电能使用效率的目的,利用功率因数校正技术和软开关技术的综合应用,力求实现开关电源性能的大幅提高。1.1课题的背景及意义随着电源技术的发展,开关电源在个人计算机、电视机等设备上得到越来越广泛的应用,开关电源是采用功率半导体器件作为开关元件,通过周期性通断开关,控制开关器件的占空比来调整输出电压的电源变换装置。开关电源通常包括整流滤波电路、功率变换电路、脉冲宽度调制PWM(PulseWidthModulation)电路、控制保护电路部分等。传统的功率变换器有一系列的弊端,比如电网侧功率因数低、谐波含量高、功率开关管开关损耗大和电磁干扰等,这些缺点妨碍了电源技术向着高性能、清洁和实用的方向发展。到80年代,综合利用了功率因数校正技术及软开关技术,不仅解决了这些问题,还大幅提高了开关电源的性能。在开关电源装置中占比例最大的是整流装置。现在的整流电路差不多都是采用二极管整流电路或者晶闸管相控整流电路,在这两种非线性电路中,以单相桥式和三相桥式整流电路居多。但工频二极管和晶闸管整流电路都存在两大缺点,第一给电网注入大量的谐波,造成严重的谐波污染;第二从公共连接点吸收高峰值脉冲电流,降低电网侧功率因数,增加电网损耗。我国国家技术监督局在1993年颁布了《电能质量公用电网谐波》标准(GB/T14549-93),国际电工委员会也在1988年对谐波标准IEC555-2进行了修正,另外还制定了IEC1000-3-2标准[2],因此治理谐波和噪声污染,如何使现代开关电源成为真正的“绿色能源”是一个亟待解决的问题。单相输入电源技术成熟而且取得了很好的效果。三相有源功率因数校正由于结构复杂、成本高,其应用受到制约,采用直流侧LC滤波是改善功率因数最简单的办法。但是这种简单的方法远远不能解决问题,因此为了减少装置对电网的谐波污染和电磁干扰,研究人员提出了相应的谐波抑制方法和功率因数校正电路,有效的抑制了谐波和减小了电磁干扰。在交流/直流AC/DC(AlternationCurrent/DirectCurrent)电路中硬开关PWM变换器固有的缺点,比如开通和关断损耗大,感性关断问题,容性开通问题,二极管反向恢复问题等,也限制了功率因数校正电路性能的提高。而且采用PWM硬开关技术的开关电源电磁兼容性差,开关频率难以提高,谐波畸变难以降低,而软开关技术能有效解决变换器硬开关电路的损耗问题,电磁干扰问题,提高变换器的功率密度及其效率。开关电源的发展方向是高频化、小型化、模块化、集成化、智能化、环保化。低压大电流和高压大电流是开关电源发展的两大分支。实现电源的高频化需要改进变换器的控制技术,使开关损耗近似为零,即开关损耗与开关频率无关,软开关变换技术可以实现这一目的。软开关变换器控制技术是实现开关电源装置高频化、高效率最有发展和应用前景的变换器。模块化、智能化、集成化是提高可靠性、降低制造成本、缩短生产周期、提高使用性和可维修性的重要条件。应用大功率模块为有源器件是实现电源高频化、模块化、智能化的必由之路[1]。为了提高AC/DC电路的系统效率,本文将软开关技术引用到功率因数校正电路中,作为软开关电源研制的前期工作,进行仿真研究,为软开关电源的实际研制提供指导原则。本文是宁夏回族自治区自然科学基金项目-基于PFC和软开关的大功率开关电源研究的一部分(NZ0822)。1.2国内外研究现状早期的有源功率因数校正电路是晶闸管电路。到70年代末诞生了用全控型器件实现的有源PFC技术,但不适用200W以下的中小功率,控制也比较复杂,成本比较高。80年代提出了利用工作在不连续导电模式控制方式。控制比较简单,但是不能应用于较大的功率变换器中。90年代单相有源功率因数校正技术取得了长足的进展,将软开关技术应用到功率因数技术中,这样就提高了转换效率和工作性能。功率开关器件也得到了长足发展,采用GaAs(砷化镓)、SiO2新型材料制造的功率器件将是21世纪电力电子功率器件的发展趋势[1]。用GaAs制成的场效应晶体管和肖特基整流二极管的PWM(PulseWidthModulation)变换器,其功率密度高达500W/in3,工作频率10MHz已成为现实。功率器件MOSFET也是向着高频、高压或低压大电流方向发展,工作在MHz级的25A/1200V和225A/100V的MOS管,工作于100MHz的300W/300V场效应晶体管是成为商品。MOSFET(MetalOxideSemiconduct
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