光电式传感器 《电气测试技术第版》课件知识介绍.pptVIP

4.10 光电式传感器 4.10.1 光电效应及其器件 4.10.2 光电元件的特性 4.10.3 光电信号的检测方法 4.10.4 光电传感器的应用实例 光电传感器原理 光电传感器通常是指能敏感到由紫外线到红外线光的光能量，并能将光能转化成电信号的器件，原理如下图。 4.10.1 光电效应及其器件 光照射在某些物质上，物质的电子吸收光子的能量而释放电子的现象称为光电效应。释放的电子称为光电子。能产生光电效应的物质称为光电材料。 外光电效应及其器件 光照射在某些光电材料上时，材料表面的电子吸收光子的能量，若电子吸收的能量足够大，它能克服正离子的束缚而逸出材料的表面，进入外界空间，这种现象称为外光电效应。 式中： h——普朗克常数=6.626×10-34(J·s)  γ——光的频率（s-1） m——电子质量；  v——电子逸出速度。 外光电效应 因此，光电材料表面多数涂覆一层薄的逸出功小的化合物，例如，铯、氧化铯和锑化铯等。入射光的频率愈高（其波长愈短），其光子能量愈大，愈容易产生外光电效应，而与光强无关。在能产生外光电效应的前提下，单位时间内逸出的电子数量与光强成正比，因此光电流与光强成正比。 根据外光电效应制造的光电元件有光电管、充气光电管和光电倍增管等。 1.光电管 光电管种类繁多，典型产品有真空光电管和充气光电管。由于真空光电管有稳定性好、惰性小和温度系数小等优点，故它是自动检测中常用的检测元件，其工作原理见图4-111。由图可见，在真空玻璃管内密封有光电阳极A和光电阴极K。当光线照射在光电阴极K上时，电子从阴极表面逸出，并被光电阳极的正电场吸引，外电路产生光电流 ，在负载电阻 上的压降 为输出电压。 图4-111 光电管的工作原理 光生伏特效应及其器件 光照射在具有PN结的半导体材料上，在PN结两边产生电动势的现象称为光生伏特效应。据此效应制造的光电元件有光电池、光电二极管、光电三极管、光控晶闸管和光耦合器等。 1.光电池 它的工作原理见图4-113a。 根据材料不同，有硅光电池、硒光电池、砷化镓光电池和锗光电池。前三种得到广泛的使用。 2.光电二极管 其结构和工作原理与光电池相似，见图4-113b。 图4-113 光电池和光电二极管的工作原理 a）光电池 b）光电二极管 3.光电三极管 光电三极管的电符号及工作原理见图4-114c和b。与光电二极管比较，光电三极管有两个PN结，见图4-114a。光电三极管的灵敏度较光电二极管的高。 图4-114 光电三极管的工作原理 a）结构 b）工作原理 c）电符号 4.光控晶体闸流管 光控晶体闸流管是近几年来发展的光电半导体元件，代号为GSCR，其结构和工作原理见图4-115。 图4-115 光控晶体闸流管结构及其工作原理 光耦合器用于隔离用途以提高传感器的抗干扰能力时， 与 必须是不同电源，光耦合器两边的参考“地”不能连在一起，见图4-116a、c，否则起不了提高抗干扰能力的作用。 图4-116 工作原理与输入输出特性 a）工作原理 b）输入输出特性 c）同相输出 5.光耦合器 它是近几年来发展起来的新型光电半导体器件，其工作原理与输入输出特性，见图4-116。 4.10.2 光电元件的特性 1.光照特性 光照特性是指光电元件外加电压一定时，光电流与入射光的照度之间的关系。 2.光谱特性 光谱特性是指光电元件外加电压一定时，其输出电流与入射单色光的波长之间的关系，即 。 3.伏安特性 伏安特性是指在给定光通量或照度下，光电流与外加电压之间的关系，即 。 4.频率特性 频率特性是指外加电压和入射光强一定时，光电流与入射光的调制频率之间的关系，即 。 5.温度特性 光电元件是半导体器件，其特性受温度的影响较严重，这是由于半导体器件中多数载流子易受热激发的缘故。在使用中必须采取温度补偿或恒温措施，以保证足够的测量精度。