光电式传感器 传感器课件技术方案.pptVIP

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光电式传感器 传感器课件技术方案.ppt

第十章 光电式传感器 光电传感器的构成:光源、光学通路、光电元件。 应用: 1 光量变化的非电量; 2 能转换成光量变化的其他非电量。 特点:非接触、响应快、性能可靠。 被测量 的变化 光信号 的变化 电信号 的变化 光电式传感器的应用可归纳为四种基本形式,即辐射式(直射式)、吸收式、遮光式、反射式。 电磁波名称 波长(m) ? 宇宙射线 10-14 10-13 γ射线 10-12 10-11 Χ光 10-10 10-9 紫外线 10-8 10-7 10-6 红外光 10-5 毫米波 10-4 厘米波 10-3 无线电波 10-2 10-1 100 101 102 可见光 可见光波长范围: 0.38—0.78μm 1905年,爱因斯坦提出了光子假设:光在空间传播时,是不连续的,也具有粒子性,即一束光是一束以光速运动的粒子流,爱因斯坦把这些不连续的量子称为“光量子”。1926年,美国物理学家刘易斯把这一名词改称为“光子”,并沿用至今。 每个光子的能量为 E=hν 可见,光的频率愈高,光子的能量愈大。 10.1.2 光源(发光器件) 1. 白炽光源 最为普通的是用钨丝通电加热作为光辐射源。一般白炽灯的辐射光谱是连续的。 发光范围:320 nm~2500 nm, 所以任何光敏元件都能和它配合接收到光信号。 特点:寿命短而且发热大、效率低、动态特性差,但对接收光敏元件的光谱特性要求不高,是可取之处。 2. 气体放电光源 利用电流通过气体产生发光现象制成的灯即气体放电灯。 它的光谱是不连续的,光谱与气体的种类及放电条件有关。改变气体的成分、压力、阴极材料和放电电流大小,可得到主要在某一光谱范围的辐射。 构成:由半导体PN结构成。 特点:工作电压低、响应速度快、寿命长、体积小、重量轻,因此获得了广泛的应用。 3. 发光二极管(LED——Light Emitting Diode) R U N P + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - U iD + + _ _ 原理: 当加正向电压时,势垒降低,电子由N区注入到P区,和P区里的空穴复合;空穴则由P区注入到N区,和N区里的电子复合,这种电子空穴对的复合同时伴随着光子的放出,因而发光。 电子和空穴复合,所释放的能量等于PN结的禁带宽度(即能量间隙)Eg。所放出的光子能量用hν表示,有 普朗克常数h=6.6╳10-34J.s; 光速c=3╳108m/s; hc=19.8×10-26m?W?s=12.4×10-7m?eV Eg的单位为eV,1eV=1.6╳10-19J。 可见光的波长?近似地认为在7×10-7m以下,所以制作可见光区的发光二极管,其材料的禁带宽度至少应大于 h c / ? =1.8 eV 普通二极管是用硅或锗制造的,这两种材料的禁带宽度Eg分别为1.12eV和 0.67 eV,显然不能使用。 发光二极管的光谱特性如图所示。图中砷磷化镓曲线有两根,这是因为其材质成分稍有差异而得到不同的峰值波长?p。除峰值波长?p决定发光颜色之外,峰的宽度(用Δ?描述)决定光的色彩纯度,Δ?越小,其光色越纯。 发光二极管的光谱特性 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 600 700 800 900 1000 GaAsP λp=670nm λp=655nm GaAsP λp=565nm GaP λp=950nm GaAs λ/nm 相对灵敏度 Δ? U/V I/mA -10 -5 0 1 2 GaAsP(红) GaAsP(绿) 反向电压应在5V以下! 发光二极管的伏安特性与普通二极管相似,但随材料禁带宽度的不同,开启(点燃)电压略有差异。红色约为1.7V开启,绿色约为2.2V。 砷磷化镓发光二极管的伏安曲线 4、激光器 激光(Laser: Light amplification by stimulated emission of radiation)是20世纪60年代出现的最重大科技成就之一。具有高方向性、高单色性、高亮度和高的相干性四个重要特性。激光波长一般从0.15μm到远红外整个光频波段范围。X-射线激光器。 激光器种类繁多,按工作物质分类: 固体激光器(如红宝石激光器) 气体激光器(如氦-氖气体激光器、二氧化碳激光器) 液体激光器(染料激光器)。 半导体激光器(如砷化镓激光器) 10.2.1 外光电效应 在光的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外

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