光通信的器件（二）(数字通信技术)教学 讲义.pptVIP

§11.3　光通信的器件（二） ;内容和要求;要求 光电探测器、光放大器、波分复用、光栅型光波分复用器、布拉格光纤光栅型波分复用器、介质膜滤波器型光波分复用器、熔锥型光波分复用器、OADM和OXC。其中重点是光检测器与波分复用器。 ;响应度R 响应度等于平均发射电流与平均入射光功率之比，即 式中： 值一般是固定的，h为普朗克常量，R与v成 反比，其单位A/W为或uA/uW ;3、光电探测器的类型 光电倍增管； 光电探测器； PIN光电二极管； 雪崩（APD）光电二极管。 前两种由于性能较差，在光通信中很少使用，后两种使用最多，也最重要。;4、普通光电探测器的物理原理 光电产生原理;光激活：根据光电效应，当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子- 空穴对。 电荷运动：N边是带正电荷的空穴、P边是带负电荷的受主电子，耗尽区宽度决定掺杂浓度。 电压反偏 扩散运动比漂移运动 减小扩散分量的比例显著提高响应速度。 加反向偏压的目的是增加耗尽层的宽度，缩小耗尽层两侧中性区的宽度。 但是提高反向偏压，加宽耗尽层会增加载流子漂移的渡越时间， 使响应速度减慢。;缺点 扩散区与吸收区的折衷，响应速度慢 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。 ;5、PIN光电二极管 提高响应速率的技术方面 增强反向电场强度，但不增强耗尽区宽度 降低两侧扩散区的宽度 思想 与扩展区相比而言适当加大耗尽区的宽度，从而使入射光尽可能地在耗尽区被吸收，并提高响应速度。 ;技术方法;也就是在设计二极管时应减少层的掺杂，使耗尽区放宽。这种掺杂很轻的N层可以认作本征I层。这种结构便是常用的PIN光电二极管。 以一块厚度为70-110um的本征硅材料做的本体(即I层)，在本体两边使用外延或扩散工艺分别形成很薄的P、N层厚度(几微米)。由于I层是轻掺杂，故电子浓度很低，经扩散作用后可形成一个很宽的耗尽区。在反向偏压的作用下，可大大提高PIN光电二极管的光电转换效率。 ;特点 其耗尽层与吸收区宽度相等，占据整个结的宽度，因而光子产生电子--空穴对的效率最高。 光生载流子通过PIN结时间很??，这是因为虽然I层较厚，但它处于一个强的反向电场作用下，所以载流子以极快的漂移速度通过I层。 存在问题 量子效率和响应速率有一些矛盾。为了提高量子效率，吸收区应该宽，不过这样的吸收区宽度的光载流子漂移时间就长了响应速度下降。 ;1、使用背景 宽带宽的光放大器可以对多信道信号同时放大，而不需要进行解复用，光放大器的问世推动了DWDM技术的快速发展。 2、宽带放大器类型 按放大器的机理分类 稀土掺杂光纤放大器 掺镨光纤放大器(PDFA, 1300nm)、 掺铥光纤放大器(TDFA, S带)、 掺铒光纤放大器(EDFA,C+L带） 半导体激光放大器(SOA) 光纤喇曼放大器(FRA) ;放大器按波段划分为 常规的Ｃ波段光放大器（1528nm～1562nm） 长波L波段光放大器（1570nm～1610nm） 短波S波段光放大器（1490nm～1530nm） 短波S+波段光放大器（1450nm～1520nm） 超长波U波段光放大器（1650nm） 短波O波段光放大器（1300nm） ;;3、EDF掺铒光纤结构 物理形式 　 是在制造石英光纤时，在纤芯中掺入一定的三价铒离子（Er3+），形成掺铒光纤。 ; EDF掺铒光纤特性 Er3+对某些特定波长光中的光子敏感，会吸收其能量，使自身的能级发生变化（这个过程被称为激励）。用来作为激励的光源称为泵浦光源，所发出的激励光波被称为泵浦光。 ;;4、EDFA工作原理 EDFA 放大器的结构 掺铒光纤(EDF) 泵浦光源 耦合器：光耦合器的作用是将信号光和泵浦光复合在一起，注入到掺铒光纤中 光隔离器：防止光放大器自激 光滤波器：以减低自发辐射（ASE，Amplified Spontaneous Emission）噪声对系统的影响 ;;掺铒放大器的基本原理;当较弱的信号光与较强的泵浦光一起输入EDF时，泵浦光激活EDF中的铒离子，跃迁到高能级态； 在信号光的诱导下，铒离子受激辐射，跃迁到基态，产生与信号光相同的光子，实现光放大。 ;EDFA的特点 EDFA的主要优点是与线路的耦合损耗小（1dB）、噪声低（4-8dB）、增益高（10-30dB）、输出功率大（10-20dBm）、与光纤的极化状态无关，所需的泵浦功率低（数十毫瓦），因此得到大量广泛应用 。 ;使用EDFA时应注意的问题 非线性问题： 光浪涌问题： 色散问题： EDFA的运用 光功率放大器 光线路放大器 光前置放大器 ;;;通常光端机的光信号接口符合ITU-T G.957建议，工作在1310nm或者波长1550nm，波分复用要求复