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前段制程
对外延片做 ITO 蒸镀前的表面清洗：
外延片
ITO 蒸镀后：
ITO ：2500 或 4000
M
E
S
A
后 胶 匀 刻 光
东进正胶：
DTFR-330R
光 曝
光罩
后 影 显
显影：光罩上
的 图 形 转 移
到 芯 片 表 面
的光刻胶上
光刻胶
保护区
光 刻 胶 被 显
走，露出 SIO2 ，
待蚀刻
I
T
O
后 刻 蚀
ITO 蚀刻：未被
光刻胶保护的 ITO
均被 HCL 蚀刻掉,
而 有 光 刻 胶 保 护
的 ITO 则留下来。
I
C
P
并 之
后 胶 去
然后进行 ITO 的合金
P
A
D
后 刻 光
此区域光刻胶
被显走
DDNNRR-L300-4-L300-400
型光刻负胶所型光刻负胶所
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