第2部分 半导体二极管参数的测量.ppt

3．2．4半导体二极管参数的测量 二极管是整流、检波、限幅、钳位等电路中的主要器件。 一、半导体二极管的特性和主要参数 1．二极管的主要特性 二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极管正向偏置是导通；反向偏置时截止。 2．二极管的主要参数 （1）最大整流电流 指管子长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）反向电流 指在一定温度条件下，二极管承受了反向工作电压、又没有反向击穿时，其反向电流值。 （3）反向最大工作电压 指管子运行时允许承受的最大反向电压。 应小于反向击穿电压。 （4）直流电阻 指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。良好的二极管的正向电阻约为几十Ω到几kΩ；反向电阻大于几十kΩ到几百kΩ。 （5）交流电阻 r 二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化量与相应电流变化量之比。 （6）二极管的极间电容 势垒电容与扩散电容之和称为极间电容。在低频工作时，二极管的极间电容较小，可忽略；在高频工作时，必须考虑其影响。 二、测量原理和常规测试方法 PN结的单向导电性是进行二极管测量的根本依据。 1．模拟式万用表测量二极管 （1）正、反向电阻的测量 通常小功率锗二极管正向电阻值为300~500?，硅管为1k?或更大些。 锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500k?以上（大功率二极管的数值要小得多）。 正反向电阻的差值越大越好。 （2）极性的判别 根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点可判别二极管的极性。 （3）管型的判别 硅二极管的正向压降一般为0.6~0.7V，锗二极管的正向压降一般为0.1~0.3V，通过测量二极管的正向导通电压，就可以判别被测二极管的管型。 2．数字式万用表测量二极管 实际测量的是二极管的直流压降。 3．用晶体管图示仪测量二极管 直接显示二极管的伏安特性曲线。 4．发光二极管的测量 （1）用模拟式万用表判别发光二极管 实际测量的也是二极管的直流压降。 （2）发光二极管工作电流的测量 3．2．5半导体三极管参数的测 量 半导体三极管是内部含有两个PN结、外部具有三个电极的半导体器件。 一、三极管的主要参数 1．直流电流放大系数 定义为集电极直流电流 与基极直流 之比。 2．交流电流放大系数 三极管在有信号输入时，定义为集电极电流的变化量 与基极电流的变化量 之比。 3．穿透电流 基极b开路，集电极c与发射极e间加反向电压时的集电极电流 。硅管的 在几微安以下。 4．反向击穿电压 是基极b开路，集电极c与发射极e间的反向击穿电压。 5．集电极最大允许电流 是 值下降到额定值的1/3时所允许的最大集电极电流。 6．集电极最大允许功耗 是集电极上允许消耗功率的最大值。 、 、 值由器件手册可查得， 、 、 可以用晶体管图示仪进行测量。 二、测量原理和常规测试方法 1．模拟万用表测量三极管 可判断b、c、e，并估测电流放大倍数。 (1)基极的判定 利用PN结的单向导电性进行判别。 (2)发射极和集电极的判别 判别发射极和集电极的依据是：发射区的杂质浓度比集电区的杂质浓度高，因而三极管正常运用时的β值比倒置运用时要大得多。 测试步骤 如图3.16(a)所示： ①三极管基极集电极间 接１００kΩ电阻。 ②与万用表相连。 结论： 此时显示电阻值小， 三极管为正常放大状态， 黑表笔接的为c 红表笔接的为e （3）电流放大倍数 的估测 2．用数字万用表测量三极管 直接以数字形式显示测量值。 3．用晶体管特性图示仪测量三极管 3.3 晶体管特性图示仪的工作原理与应用 晶体管特性图示仪可以直接显示共发射极、共基极、共集电极的输入特性、输出特性和正向转移特性等。 3 . 3 . 2晶体管图示仪的工作原理 图示仪的基本组成如图3.17所示。 主要由同步脉冲发生器、基极阶梯波发生器、集电极扫描电压发生器、测试转换开关、垂直放大器、水平放大器和示波管组成。 3．3．3　晶体管图示仪的测试应用 1.测试前注意事项 （1）要对被测管的主要直流参数有一个大概的了解和估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率PCM、最大允许电流ICM和击穿电压BUCEO、BUCBO、ＢUEBO。 （2）选择好扫描和阶梯信号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。 （3）根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围和功