高压变频器_SVG的推广资料2012.4.pptVIP

特性比较 模块性能的比较（如无特殊说明，Tj=125℃） 　 A公司 B公司 比较结果 项目 单位 2MBI1000VXA-170E-50 FF1000R17IE4 - 　 封装 [mm] PrimePACK PrimePACK - 　 Ic [A] 1000(Tc=100℃) 1000(Tc=100℃) - 电流能力相同 Vce(sat) (chip) [V] 2.40 2.35 - 同等的导通损耗 Tjop [℃] 150 150 - 工作结温相同 Tjmax [℃] 175 175 - 最大结温相同 Rgon/off [Ω] 1.2/1.8 1.2/1.8 - 驱动电阻完全相同---直接替代！ Eon [mJ] 220 390 - 优势明显 Eoff [mJ] 360 295 - 关断损耗略高 Rth(jc)_IGBT [K/kW] 24 24 - 热阻相同 Rth(jc)_FWD [K/kW] 48 48 - 热阻相同 VF (chip) [V] 2.10 1.95 - 二极管通态损耗差不多 EMI特性改善 在通过Rg改善开通速度可控性的同时，要注意EMI干扰与开通损耗的折衷关系。 下图：作为EMI干扰主要原因的反向恢复dv/dt和开通损耗之间的关系。与U系列IGBT产品相比，在同样的反向恢复dv/dt下，V系列IGBT的开通损耗较小。 结论：与U-IGBT产品相比，V-I