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北京航空航天大学202教研室 1.2.2.4 二极管的交流小信号模型 实际二极管的照片1： 实际二极管的照片2： 实际二极管的照片3： 1.2.3 PN结的反向击穿特性与高稳定性埋层齐纳稳压管 稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 * 第一章 集成电路元、器件基础 介绍半导体的有关基础知识，阐述PN结的原理及主要特性，讨论以PN结为基本结构的双极型晶体三级管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性及主要参数。 1.1 半导体基础知识 半导体的概念：导电能力处于导体和绝缘体之间的材料； 原子之间的共价键很弱。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 锗原子示意图 硅原子示意图 1.1.1 本征半导体 概念：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： 硅和锗的共价键结构： 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 本征激发：本征半导体中的价电子在受热或者光照的情况下 获得能量从共价键中脱离出来成为自由电子的过程。 本征激发过程产生两种载流子：① 自由电子 ② 空穴 复 合：自由电子落入空穴，使自由电子和空穴成对消失  的过程。 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 本征激发过程： 本征半导体中载流子的浓度： 式中：ni表示自由电子浓度，pi表示空穴的浓度； A0是与半导体材料有关的常数； k是波尔兹曼常数，k=8.63×10-5(eV.K-1)； Eg0是T=0K时的禁带宽度。 结论：本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度相同， 具体浓度值与半导体材料和温度有很大关系。 1.1.2 杂质半导体 概念：掺入了杂质元素的半导体。 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 两种类型的杂质元素：① 施主杂质（高价元素，提供电子） ② 受主杂质（低价元素，提供空位） 1.1.2.1 N型半导体 概念：在本征半导体中掺入高价元素（施主杂质）使 自由电子浓度大大高于空穴浓度的半导体。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 1.1.2.2 P型半导体 概念：在本征半导体中掺入低价元素（受主杂质）使 空穴浓度大大高于自由电子浓度的半导体。 +4 +4 +3 +4 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。 空穴 杂质半导体的示意表示法: － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体中多子和少子的定向移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 1.1.2.3 杂质半导体中的载流子浓度 结论：① 杂质半导体中，自由电子和空穴浓度的乘积等于同温 度下本征半导体中自由电子或空穴的浓度平方。 ② 杂质半导体中，多子的浓度近似等于掺杂浓度，少子 浓度随温度升高而迅速增大。 nnpn=ni2=pi2 nppp=ni2=pi2 nn=ND+pn pp=NA+np N型半导体： P型半导体： 式中：nn表示N型