磁控溅射制备N -金属共掺杂p型ZnO透明导电薄膜 可行性报告.docVIP

南昌市2007年科技计划项目 可行性研究报告 计划类别：工业攻关 项目名称： 项目类别：一般项目 课题名称：磁控溅射制备N -金属共掺杂p型ZnO透明导电薄膜 申请单位：江西科技师范学院 江西省材料表面工程重点实验室（盖章） 项目（课题）负责人：李文魁 起止年限：2007.4-2008.12 通讯地址、邮编：江西科技师范学院材料表面工程研究所 联系电话、传真：0791- 0791- 报告编制单位：江西科技师范学院 一、总论 （一）项目的主要内容及技术原理简述 本项目的主要内容是通过磁控溅射方法，以Zn合金靶材为原料，制备性能良好的p型氧化锌透明导电薄膜。 磁控溅射方法是一种先进的薄膜材料制备方法，广泛应用于工业生产和科学研究。本项目以本项目拟采用反应磁控溅射方法，以Zn合金靶为靶材，以NO和NH3/O2为气氛和N源，以Mg、Al、Cu为共掺杂金属，通过调整工艺参数，研制p型。用四探针法测试材料的电阻，用紫外-可见分光光度计测试材料的透过率，用霍尔效应测试仪测量材料的导电类型、载流子浓度、迁移率等电学性能，用TEM、XPS、SEM、XRD、AFM等分析测试手段分析材料的显微结构、表面形貌，化学组成、界面情况等。在保证较高的光学性能的同时，使材料具有中等的电导性能，较高的载流子浓度和迁移率，成功制备出p型导电的ZnO透明导电薄膜，并进一步进行制备同质p-n结的研究工作。。 （二）项目的目的和意义 ZnO透明导电薄膜是具有广泛应用前景的透明半导体材料，为了获得同质p-n结，制备p型导电的ZnO薄膜具有重要的学术意义和应用价值。然而由于材料本身强烈的自补偿效应，掺杂元素在基体中的溶解度很低，掺杂量较小，制备性能良好的p型导电ZnO薄膜材料非常困难，这已经成为了氧化锌研究及应用的一个瓶颈，也是目前国际上很多材料学家致力解决的问题。本项目通过不同的金属（Mg,Al,Cu）和N的共掺杂，用反应磁控溅射方法，研制性能良好的p型ZnO透明导电薄膜。ZnO透明导电薄膜广泛应用于太阳能薄膜电池和平板显示器的透明电极、气敏传感器、光波导、建筑窗口材料的红外减反射涂层及电磁防护涂层等，具有广阔的市场前景和巨大的经济效益。 （三）相关技术领域国内外发展现状、趋势 为了制备同质p-n结，制备p型导电的ZnO薄膜具有重要的学术意义和应用价值。然而制备性能良好的p型导电ZnO薄膜材料非常困难，主要是由于间隙锌、氧空位等本征缺陷强烈的自补偿效应，掺杂元素在基体中的溶解度很低，掺杂量较小，这已经成为了氧化锌研究及应用的一个瓶颈，也是目前国际上很多材料学家致力解决的问题。获得p型掺杂的方法包括：可以通过掺杂低价的元素，如Li，Na，K，Cu，Ag等取代Zn的位置，或者通过掺杂N，P，As等取代氧的位置形成受主。由于Li，Na，K等易于形成间隙原子而不是取代Zn的位置，很难起到受主掺杂的作用，Cu，Ag会形成比较复杂的深能级掺杂，都未能取得较好的结果。P、As作为掺杂元素，由于其与氧原子有较大的半径差异，会导致比较大的晶格畸变，其掺杂的机理比较复杂，得到的结果不能简单的用P、As取代O形成受主缺陷解释。目前最为有效的掺杂方式是N 掺杂，并取得了一定的效果，但是N在ZnO基体中的溶解度很小，掺杂量非常有限，使其掺杂效果受到了很大的影响。部分研究小组研究了N-Al、N-In等的共掺杂行为，通过共掺杂来提高薄膜中的N含量，取得了一定的效果，但是数据仍然非常缺乏，电学性能仍然有待提高，并且可重复性和材料的稳定的性都不是特别理想。虽然N-金属共掺杂取得了一定的效果，是一种非常有希望的制备性能良好的p型ZnO薄膜的途径，但是其掺杂行为比较复杂，尤其是N在基体中的存在状态，对电学性能的影响都比较复杂，需要进一步深入系统的研究。 （四）项目申请单位、主要合作申请单位及项目主要负责人的基本情况 江西科技师范学院目前拥有三个省级重点实验室，学校投入700余万元建立的江西省材料表面工程重点实验室为材料学科的建设和发展搭建了良好的发展平台。该实验室目前拥有十位博士，均毕业于中科院研究员所和国内重点大学，具有很强的科研实力和开发能力，拥有多功能磁控溅射设备、真空退火炉等材料合成及加工设备，为该项目的顺利完成奠定了人才和物质基础。 项目申请人李文魁，博士，教授，江西省材料表面工程重点实验室副主任。在攻读博士论文期间一直从事陶瓷材料的研究工作，参与了导师主持的国家863科研项目的科研工作，目前在理论与实践方面具有。 2017年以来，xx区委站在旗帜鲜明讲政治的高度，认真履行全面从严治党主体责任，深入学习贯彻党的十九大精神，认真落实市委各项部署，把管党治党工作与中心工作同部署、同落实、同检查、同考核，推动管党治党不断从宽松软走向严紧硬，推动全面从严治党不断向纵深发展。下面 我就落实全面从严治党主