电子技术基础(第五版)模拟部分ch03.pptVIP

3.5.3 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 3.5.4 光电器件 1. 光电二极管 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 3.5.4 光电器件 2. 发光二极管 符号 光电传输系统 3.5.4 光电器件 3. 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 3.5.4 光电器件 4. 太阳能电池 end * 3.2.3 PN结的单向导电性 高电阻 很小的反向漂移电流 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 2.PN结加反向电压时 PN结的I-V 特性 3.2.3 PN结的单向导电性 PN结的I-V 特性 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 高电阻 很小的反向漂移电流 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 2.PN结加反向电压时 3.2.3 PN结的单向导电性 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 3.2.3 PN结的单向导电性 3.PN结I-V 特性表达式 其中 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） PN结的I-V 特性 3.2.4 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 3.2.5 PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 外加电压变化 离子层厚薄变化 等效于电容充放电 3.2.5 PN结的电容效应 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 外加电压变化 扩散到对方区域在靠近PN结附近累积的载流子浓度发生变化 等效于电容充放电 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.3.1 二极管的结构 3.3.1 二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 3.3.1 二极管的结构 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)集成电路中的平面型 (3) 二极管的代表符号 3.3.2 二极管的I-V特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的I-V 特性 锗二极管2AP15的I-V 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 极间电容Cd（CB、 CD ） (5) 反向恢复时间TRR 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 符号中大小写的含义： 大写字母大写下标：静态值（直流），如，IB （参见“本书常用符号表”） 小写字母大写下标：总量（直流+交流），如，iB 小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，ib 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1. 二极管I-V 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 I-V 特性 代表符号 正向偏置时的电路模型 反向偏置时的电路模型 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1. 二极管I-V 特性的建模 （2）恒压降模型 （a）I-V 特性 （b）电路模型 （3）折线模型 （a）I-V 特性 （b）电路模型 3.4.2 二极