功率MOSFET新结构及工艺研究_打印.doc

分类号 UDC 密 级 学 号 硕士学位论文 功率MOSFET新结构及其工艺研究 孙 丞 学 科 名 称： 微电子学与固体电子学 学 科 门 类： 工 学 指 导 教 师： 王彩琳 副教授 申 请 日 期： 2009-01 论文题目：功率MOSFET新结构及其工艺研究 学科专业：微电子学与固体电子学 研 究 生：孙丞 指导教师：王彩琳 副教授 摘 要功率MOSFET输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽以及热稳定性好等特点，广泛地应用于开关电源等领域。 MOSFET的结构、特性以及制造工艺。利用ISE软件重点分析了VDMOS的各项特性和关键工艺，给出了关键结构参数的设计方法，模拟分析了高温对器件特性以及关键特性参数的影响。提出了一种新的沟槽-平面栅功率MOSFET结构(TPMOS)，分析模拟了新结构的各项特性以及关键工艺。主要研究内容如下： 第一，研究了VDMOS的各项特性。结果表明，VDMOS结构中，高耐压要求VDMOS具有低浓度、较厚的漂移区，较短的栅极长度，但是随着漂移区厚度的增加和浓度的降低，以及栅极长度的减小，漂移区电阻和JFET区电阻会增大，导致器件的导通电阻增大，通态功耗增大。因此，VDMOS的导通电阻与击穿电压之间形成不可调和的矛盾。 第二，分析了高温对VDMOS特性及其关键特性参数的影响。结果表明，在硅器件的工作温度 (420K)内，随着温度的升高，VDMOS会出现阈值电压减小，等影响提出改善高温特性的方法给出600V VDMOS优化的关键结构参数。结果表明，沟槽的引入消除了间距对VDMOS击穿电压和导通电阻的影响第四，TPMOS新结构的制作工艺。p基区、n+源区及相互影响TPMOS器件的特性该对进一步研究有一定参考价值。 关键词：电力半导体器件；功率MOSFET；Title: Major: Microelectronics and Solid-State Electronics Name: Cheng SUN Supervisor: Associate Prof. Cailin WANG Abstract The power MOSFET has good performance in input independence, switching speed, safe operating area and thermal stability, so it’s widly used in switchd-model power converters and so forth. The structure, principle, characteristics and fabrication process are analyzed systemically in this thesis. The characteristics and key processes of VDMOS are simulated using ISE-TCAD simulator, and the design methods of key parameters are also given. And a trench-planar MOSFET(TPMOS) is presented. The characteristics and key process of the new structure are analyzed. The main content is as follows: Firstly, the characteristics of VDMOS are simulated. The results show that the breakdown voltage required a thick and low-doping epitaxital layer and a smaller length of gate, but it will increase the on-resistance of the JFET and the epitaxital layer. This is a conflict between the breakdown voltage and the on-resistance. Secondly, the influence of the