微电子关键性材料-光刻胶的现状与 及未来 集成电路工艺课件.ppt

;紫外负性光刻胶（Polyisoprene Base)； 紫外正性光刻胶，包括G线胶 （436nm)、I线胶 (365 nm)； 深紫外光刻胶，包括KrF-248nm胶、ArF-193nm胶等； 目前最热门的 ArF-193nm Immersion； 极紫外-EUV(13.4n)和Imprint Tech-nology尚在研发探索中，而曾经喧嚣一时的F2-157mm已经出局。;光刻胶的路线图;光刻胶的路线图; ;Improved resolution Improved DOF at a given resolution Conserves infrastructure Light sources Masks, pellicles,optical materials Coatings Resists? ;Transparent at the exposing l Non-volatile Non-toxic Not interact with lens coatings Stable to exposing radiation Must not intact with resist ;浸入式光刻在2006年完成了量产准备工作。AMD与IBM宣布成功开发第一代水浸式光刻工艺，并证实浸入式设备的成品率与干法相当。ASML发布高达1.35的水浸式ArF曝光设备XT:1900i;Nikon也推出NA为1.3的水浸式光刻系统NSR-S610C。浸入式光刻在45nm量产已是板上钉钉了，ArF光刻成功地扩展到第四代。 2006年业界在光刻方面的最大进展就是确立了“双重图形+水浸式”的工艺方案。IMEC和AMSL进行了大量的试验，明确无误地证实了双重图形的可行性。2006年底，双重图形被加入ITRS中，而ArF光刻则很可能会被创纪录地扩展到第五代。 ;193 Immersion Survey Result; 极紫外EUV光刻技术：极紫外波长为13.4nm，比ArF准分子激光在水中的等效波长还小一个数量级。是ITRS 2005最为看好的32/22nm节点技术。 由于波长太短，EUV只能使用反射视光学系统，为减少散射和像差，掩膜表面必须保持原子尺度的平整；而且PSM上的微小图形变化度可能引起随即得相移，这使得PSM得制备和使用十分困难；需要高亮度的光源和高敏感度的光刻胶。 设备制造困难重重，直至2006年8月第一台EUV光刻Alpha demo tool才由ASML研制出来，交付IMEC和Albany NanoTech试用。这个拥有6500万部件的庞然大物的诞生标志着EUV终于迈出了量产的第一步。 ;EUV Survey Results;Imprint技术简单来说就是采用压印的方式将预先制造好的印章或掩膜版图型转移到由单体或聚合物（如甲基丙烯酸甲酯）等构成的薄膜上，随后通过化学和热处理方式对图形进行固化和保形。 ;Imprint 技术工艺;Nanoimprint Survey Results;Large effort at Motorola Two companies in US Nanoimprints – Austin, TX Supported by UTexas (G. Willson)/Motorola Nanonex – Princeton, NJ Princeton U./ Stephen Chou ;全球光刻胶市场：2005年销售额为8.03亿美元，较2004年同比增长13.2%； 　 2006年上半年销售额4.2亿美元，较2005年同期增长10.1%。 全球光刻胶配套试剂市场： 2005年销售额为8.5亿美元，与2004年基本持平； 　　2006年上半年的销售额是5.2亿美元，比2005年增长23.8%。 全球光刻胶市场已经过了快速 发展期，而中国的市场在未来几 年内将以40%的速度发展。 到2008年，光刻胶及其配套试剂 的市场规模将达到20亿美元。 ;目前，国际市场i线胶的销售量最大占53％ 左右，总体用量仍呈上升趋势； 248nm胶的市场增长迅速，销售量已 经超过了G线胶，占光刻胶总销售量 的第二位；在不远的未来，248nm胶 的用量将超过i线胶； 193nm胶的技术含量最高，其市场销 量增长很快目前居第三位； 目前高档胶（248nm+193nm)销售额 已经超过I-线胶居第一位； G线胶和负性胶是已经过了成熟期的 产品，其总体的用量呈下降的趋势。 ; 目前国际市场的光刻胶如果以销售额计，2006年的前三季度的销售 额为6.4亿美元。高档胶达3.3亿美元；其中193nm光刻胶的销售额为 1.2亿美元，占前三季度