电工学课件第14章 节 二极管和晶体管.pptVIP

ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例3： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 例4:二极管电路如图1示, 求电流I1、I2、I3、I。 例5:二极管电路如图2示, 求电流I1、I2、I3、I。 解:因为D1、D2、D3为共阳极接法，所以在电路中只有D2导通, 而D1、D3截止。所以 解:因为D1、D2、D3为共阴极接法，所以在电路中只有D2导通, 而D1、D3截止。所以 例6：电路如图 (a)所示，试画出-10V≤ U i ≤10V范围内的传输特性曲线U o = f(U i)。 解：当U i ≥5V时，D 1导通，D 2截止，输出U o=5V； 当U i ≤-5V时，D 2导通，D 1截止，输出U o=-5V； 当-5VU i 5V时，D 1 、D 2均截止，输出U o =U i。 所以得 U o = f(U i)曲线如图 (b)所示。 例7：二极管电路如图a示，输出电压U o值为多少？ 例8：二极管电路如图b示，输出电压U o值为多少？ 例9：二极管电路如图c示，输出电压U o值为多少？ 图a 图b 图c 14.4 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 例10、电路如图 （a）所示，设D Z1的稳定电压为 5V，D Z2的稳定电压为 7V，两稳压管的正向压降均为 0V，在u i =10sinω tV[波形如图 (b)所示]的作用下，试画出u0 的波形图。 解：当 u i ≥5V时，输出电压u o =5V。 当u i ≤-7V时，输出电压u o =-7V，所以输出电压 u o的波形如图 (c) 所示。 例11：电路如图a，设D Z1的稳定电压为 5V，D Z2的稳定电压为 7V，两管正向压降均为0V，在正常输入Ui下，求输出 Uo 的值。 例12：电路如图 b，设 D Z1的稳定电压为 5V，D Z2的稳定电压为 7V，两管正向压降均为0V，在正常Ui输入下，求输出U0 的值。 图a 图b 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 晶体管的结构 (a)平面型； (b)合金型 B E P型硅 N型硅 二氧化碳保护膜 铟球 N型锗 N型硅 C B E C P P 铟球 (a) (b) 14.5 半导体三极管 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB B E C N N P EC RC 晶体管电流放大的实验电路  设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极