半导体材料第7章-III-V族化合物半导体外延生长.pptVIP

* * LPE的缺点 1) 当外延层与衬底晶格常数差大于1％时，不能进行很好的生长。 2) 由于分凝系数的不同，除生长很薄外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组分均匀性遇到困难。 3) LPE的外延层表面一般不如气相外延好。 近年来，由于MOVPE等外延技术的发展，LPE的应用受到了影响，特别是LPE很难重复生长超薄(厚度10nm)的外延层，使它在超晶格，量子阱等低维结构材料和器件制备方面遇到困难。 液相外延的方法 液相外延的方法有许多种，按衬底与溶液接触方式不同分为：舟倾斜法、浸渍法、旋转反应管法及滑动舟法等，其中滑动舟法最用。 滑动舟法可分为降温法(瞬态生长)和温差法(稳态生长) 。降温法 1) 先将Ga池与GaAs固体源接触，使之达到饱和 2) 将Ga池与衬底接触，以一定的速度降温至溶液过饱和 3) GaAs将在衬底上析出，达到所要求厚度 4) 将Ga池与衬底分开， 停止生长。 此法适于生长薄的单晶层。 降温法(瞬态生长)工艺 瞬态生长工艺应用比较广泛，按衬底片与源接触情况不同又分成平衡冷却、过冷、步冷和两相溶液冷却四种工艺。 平衡冷却 是在平衡温度T1时，溶液与衬底接触以恒定的冷却速率降温外延生长； 步冷 溶液降温至TT1，溶液过饱和但不自发成核，再与衬底接触，不再降温，在此过冷温度下进行生长