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螯合剂对酸性抛光液中铜离子沉积的影响 第六图书馆 研究了几种螯合剂减少金属铜在晶片表面沉积的作用.将晶片放入含有或不含螯合剂的酸性抛光液中浸泡10min,用GFAAS测定 表面沉积铜的浓度.结果表明,PAA、HEDP和AMPS的加入都能明显减少金属铜在硅片表面的沉积量,去除率分别为83%、79%和 44%.进一步的研究发现,PAA过量时,即使螯合剂或者铜离子的浓度成倍增加,金属铜沉积量减少率变化不大.因此,加入过量 PAA螯合剂不仅能够减少金属铜的沉积量,而且可以减弱沉积量的波动,增强工艺的稳定性.研究了几种螯合剂减少金属铜在晶 片表面沉积的作用.将晶片放入含有或不含螯合剂的酸性抛光液中浸泡10min,用GFAAS测定表面沉积铜的浓度.结果表明 ,PAA、HEDP和AMPS的加入都能明显减少金属铜在硅片表面的沉积量,去除率分别为83%、79%和44%.进一步的研究发现,PAA过 量时,即使螯合剂或者铜离子的浓度成倍增加,金属铜沉积量减少率变化不大.因此,加入过量PAA螯合剂不仅能够减少金属铜 的沉积量,而且可以减弱沉积量的波动,增强工艺的稳定性.硅 螯合剂 酸性抛光液 金属铜 表面沉积电子器件张西 慧 刘玉岭 杨春河北工业大学化工学院应用化学系 河北工业大学微电子技术与材料研究所 河北工业大学化工学院 应用化学系 河北工业大学微电子技术与材料研究所 天津市红桥区光荣道8号2007第六图书馆 第六图书馆 第 30 卷 　第 2 期 电 子 器 件 Vol. 30 　No . 2 2007 年 4 月 　　　 Ch inese J ou r nal Of Elect ro n D evices 　　 Ap r . 200 7 Eff ect of Chelat in g Agen t on t he Deposit ion of Cu in Acid ol ish in g Slur r y 1 , 2 2 1 Z H A N G Xi2h ui , L IU Yu2l i n g , YA N G Chu n 1. Insti t ute of Chemic al Engin eer i ng , Hebei Univ er sit y of Techn ology , Ti anj i n 300 130 , Chin a ; 2. Researc h Insti t ut e of Mic r oelec tr onics , Hebei Uni ver sit y of Techn ol og y Gu angr ong st r eet 8 , H ongqi ao Di str ic t , Ti anj i n , 300 130 , Chi na Abstr act :Th e ap plication of some li qui d chel atin g agen t s for r edu cin g Cu dep o sition on silicon waf er surface w as st udied . The concen t rat ion of dep o si ted cop p er w as d et ermin ed by GFAA S aft er dipp i ng silicon w afer i nto aci d po lishin g sl urr ies wh et her cont ai n diff er ent chel at in g agen t or not . The r e sult s i ndicate t h at all t h e chelati ng agent s of AA ,