集成抗esd soi nldmos器件研究-research on integrated esd - resistant soi n ldmos device.docx

唰唰恻砸 。阳刷刷qJV唰唰唰dE唰唰川m川AE·唰唰t川 川川川00川川川附AE·删恻YDissertation Submitted to Hangzhou Dianzi university for the Degree of MasterThe Research of Anti.唰， esd SOI nLDMOS DeviceCandidate: Zhang LiangSupervisor: Associate Prof. Zhang HaipengDecember ，2010杭州电子科技大学学位论文原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得 的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过 的作品或成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。论文作者签名:队友j日期:ν11 年 1月份日学位论文使用授权说明本人究全了解杭州电子科技大学关于保留和使用学位论文的规定，即:研究生在校攻读 学位期间论文工作的知识产权单位属杭州电子科技大学。本人保证毕业离校后，发表论文或 使用论文工作成果时署名单位仍然为杭州电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件， 允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其 它复制手段保存论文。(保密论文在解密后遵守此规定)者签名 z叙如日期:洲1 年?月均日 时币签叶沟接与日期:乡时、摘要随着 3G 时代的到来，移动通信技术巳逐渐演变成社会发展和进步必不可少的工具，如 何提高通信系统的稳定性成为了人们关泼的焦点。作为射频电路的基础，LDMOS 器件在功 率放大器中有着广泛的使用，其性能好坏直接影响着整个电路的工作状态。传统的 LDMOS 器件制作在体硅材料上，其寄生输出电容和泄漏电流都比较大，会直接 影响器件的工作速度和功耗。随着绝缘居上硅 (SOI)制备技术的不断成熟， SOI LDMOS 器件 凭借其速度快，功耗低，隔离效果好的优势，已逐渐取代了传统的体硅 LDMOS 器件。目前， SOI 技术已经成为了制备射频功率半导体集成电路的主流技术之一。研究表明，和相同条件 下的体硅器件相比， SOI 器件的速度可提高 30%以上，功耗可下降 60%以上。作为大功率器 件，要求 SOILDMOS 有较大的击穿电压、较高的电流密度和自身静电放电 (ESD)保护性能， 所以设计出满足要求，与 CMOS 工艺相兼容、低成本的 SOILDMOS 器件具有重要意义。本文概述了近几年来国内外 SOI LDMOS 器件的研究和进展，根据无线通信用射频功率 放大电路的应用要求确定了器件的一系列技术指标，比较横向沟道和纵向沟道这两种基本结 构的差异，并选择后者作为研究对象。接着，分析了器件的导通机理，结终端技术以及RESURF原理:对纵向沟道器件结构建立数学模型，确定边界条件，求解泊松方程，估算相关工艺参 数的理论值，包括漂移区长度和浓度，沟道长度，埋氧厚度等。然后设计了器件工艺流程， 并使用 SILVACO TCAD 软件开展了器件的工艺仿真和器件的电学特性仿真，包括器件的制作工艺过程，器件的输出特性、转移特性和频率特性，在验证理论值的同时对相关参数进行优化和折衷，直到满足技术指标，最后提取器件的工艺特性参数和电气特性参数。接下来提 出了其抗巴SD 结构的设计方案，并用 SILVACO TCAD 软件仿真验证了方案的可行性，提取 了在 2000VESD 电压作用下器件的等效电路模型。最后，根据 λ 设计规则完成了器件的版图 绘制。仿真结果表明本设计达到或超过技术指标，这说明我们的器件模型，工艺设计参数都是 可行的，其研究结果可以供 IC 代工厂生产参考。关键词:绝缘体上硅，面穿电压，电流密度，工艺流程ABSTRACTWith the coming ofthe 3rd-generation era，mobile communication technology has become the tool which is indispensable to the social development and progress. Thus，how ωirnprove the stability of the communication has become the 岛CUS ofpeoples attention. As the basic element of radio frequency integrated circuits，the LDMOS device is wid