基于单片机温测系统.docVIP

2．4 DS18B20 测温过程 ???? 1-WIRE 网络具有严谨的控制结构，其结构如图所示，一般通过双绞线与 1-WIRE 元件进行数据通信，它们通常被定义为漏极开路端点，主 / 从式多点结构，而且一般都在主机端接上一个上拉电阻 +5V 电源。通常为了给 1-WIRE 设备提供足够的电源，需要一个 MOSFET 管将 1-WIRE 总线上拉至 +5V 电源。 DS18B20组成的1-WIRE网络 ???? 1-WIRE 网络通信协议是分时定义的，有严格的时隙概念，下图是复位脉冲的时隙。 1-WIRE协议的复位脉冲时隙 1-WIRE读写“0/1”时隙 ???? DS18B20 单线通信功能是分时完成的，他有严格的时隙概念，如果出现序列混乱，1-WIRE 器件将不响应主机，因此读写时序很重要。系统对 DS18B20 的各种操作必须按协议进行。根据 DS18B20 的协议规定，微控制器控制 DS18B20 完成温度的转换必须经过以下 4 个步骤 ：每次读写前对 DS18B20 进行复位初始化。复位要求主 CPU 将数据线下拉 500s ，然后释放， DS18B20 收到信号后等待 16s～60us 左右，然后发出 60s～240us 的存在低脉冲，主 CPU 收到此信号后表示复位成功。 ???? 发送一条 ROM 指令，如表所示：指令名称 指令代码 指令功能 读 ROM 33H 读 DS18B20ROM 中的（即读 64 位地址） ROM 匹配（符合 ROM ） 55H 发出此命令之后，接着发出 64 位 ROM 编码，访问单总线上与编码相对应 DS18B20 使之作出响应，用于多个DS1820时定位搜索 ROM 0F0H 用于确定挂接在同一总线上 DS18B20 的个数和识别 64 位 ROM 地址，为操作各器件作好准备 跳过 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS18B20 发温度变换命令，警报搜索 0ECH 该指令执行后，只有温度超过设定值上限或下限的片子才做出响应 ???? 发送存储器指令，如表所示DS18B20 的存储器指令集指令名称 指令代码 指令功能 温度变换 44H 启动 DS18B20 进行温度转换，转换时间最长为 500ms （典型为 200ms ），结果存入内部 9 字节 RAM 中 读暂存器 0BEH 读内部RAM中9写暂存器 4EH 发出向内部 RAM 的第3 ，4字节写上，下限温度数据命令，紧跟该命令之后，是传送两字节的数据 复制暂存器 48H 将 RAM 中第 3 ， 4 字节的内容复制到 EEPROM 中 重调 EEPROM 0B8H EEPROM 中的内容恢复到 RAM 中的第 3 ， 4 字节 读供电方式 0B4H 读 DS18B20 的供电模式，寄生供电时 DS18B20 发送“ 0 ”，外接电源供电 DS18B20 发送“ 1 ” 进行数据通信。 DS18B20使用注意事项 ???? DS1820 在实际应用中应注意以下几方面的问题：每一次读写之前都要对 DS18B20 进行复位，复位成功后发送一条 ROM 指令，最后发送 RAM 指令，这样才能对 DS18B20 进行预定的操作。复位要求主 CPU 将数据线下拉 500 秒，然后释放， DS18B20 收到信号后等待 16 ～ 60 秒左右，后发出 60 ～ 240 秒的存在低脉冲，主 CPU 收到此信号表示复位成功。所有的读写时序至少需要 60us ，且每个独立的时序之间至少需要 1us 的恢复时间。在写时序时，主机将在下拉低总线 15us 之内释放总线，并向单总线器件写 1 ；若主机拉低总线后能保持至少 60us 的低电平，则向单总线器件写 0 。单总线仅在主机发出读写时序时才向主机传送数据，所以，当主机向单总线器件发出读数据指令后，必须马上产生读时序，以便单总线器件能传输数据在写数据时，写 0 时单总线至少被拉低 60， 写 1 时 ，15 内就得释放总线。转化后得到的 12 位数据，存储在 18B20 的两个 8 比特的 RAM 中，二进制中的前面 5 位是符号位，如果测得的温度大于 0 ，这 5 位为 0 ，只要将测到的数值乘于 0.0625 即可得到实际温度；如果温度小于 0 ，这 5 位为 1 ，测到的数值需要取反加 1 再乘于 0.0625 即可得到实际温度。较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿，由于 DS1820 与微处理器间采用串行数据传送，因此，在对 DS1820 进行读写编程时，必须严格的保证读写时序，否则将无法读取测温结果。在使用 PL/M 、 C 等高级语言进行系统程序设计时，对 DS1820 操作部分最好采用汇编语言实现。在 DS1820 的有关资