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第2章 半导体材料的基本性质 半导体材料的分类和基本性质 硅的物理化学性质 硅材料纯度表示方法 多晶硅的分级 2．1 半导体材料的分类及性质 （1）物质按导电性能分： 导体（电阻率ρ≤10-6Ω·cm） 绝缘体（电阻率ρ≥1010Ω·cm） 半导体（电阻率10-6Ω·cm≤ρ≤1010Ω·cm） 半导体材料的分类 按结构分：晶体和非晶体半导体 按化学组成分：无机半导体和有机半导体 无机半导体分为：单质半导体（Si，Ge，Se等） 化合物半导体（GaAs，InP，CdTe，InSb， CuInSe，Ⅲ-Ⅴ族化合物，Ⅱ-Ⅵ化合物， 氧化物，硫化物，稀土化合物等） 有机半导体可分为：有机物、聚合物和给体-受体络合物三类。 有机物类包括芳烃、染料、金属有机化合物，如紫精、酞菁、 孔雀石绿、若丹明B等。 硅本征半导体：(没有杂质，没有缺陷，结构完美的半导体单晶） 常温下载流子浓度为1.5×1010个/cm3 ，相应电阻率为2.3×105Ω·cm，导电性能很差，通过掺杂，提高其导电性能 （2）半导体材料的性质 A 载流子浓度和带隙宽等性能对温度很敏感 载流子浓度：随温度升高而迅速上升 带隙宽（Eg）：随温度升高而下降 B 电阻率随温度变化规律与金属导电材料相反 半导体的电阻率随温度上升迅速下降， 金属材料的电阻率随温度的升高而增加，导电性能下降 C 具有光电效应 光照下，半导体材料产生电流或电流变化。包括“光导效应”（光照使半导体电阻改变）；“光伏效应”（光照使半导体产生一定方向的电动势） D 具有压阻效应 对半导体材料施加外应力，除变形外，能带结构也会发生变化，造成电阻率（或电导率）发生变化 E 热电效应 把热能转化为电能的过程（温差电动势）。半导体的温差电动势，比金属大很多，且热能与电能的转化效率高。 半导体在温差发电器（塞贝克（Seebeck）效应）和半导体制冷（帕尔帖效应）等方面得到应用。 帕尔帖(peltire)效应 电流流过两种不同导体的界面时，将从外界吸收热量，或向外界放出热量。这就是帕尔帖效应。由帕尔帖效应产生的热流量称作帕尔帖热。 对帕尔帖效应的物理解释是：电荷载体在导体中运动形成电流。由于电荷载体在不同的材料中处于不同的能级，当它从高能级向低能级运动时，便释放出多余的能量；相反，从低能级向高能级运动时，从外界吸收能量。能量在两材料的交界面处以热的形式吸收或放出。 F 磁敏感效应（霍尔效应和磁阻效应） 通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下，在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象。 磁阻效应：由于磁场而引起的半导体或导体电阻的变化。 磁阻效应（Magnetoresistance Effects）是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。 霍尔效应和磁阻效应，都是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某一速度的载流子所受到的电场力与洛兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。 G 导电效应 半导体的导电，和金属不同，金属是靠自由电子导电，半导体是靠电子（e-）和空穴(h+)两种载流子导电，e- 和h+对电流都有贡献。导电性能（电阻率），与载流子浓度由关。 (测定P,B含量的依据,要多次区熔提纯后，去掉其它金属杂质，才准确） 2．2 硅的物理化学性质 2.2.1 硅的物理性质 外层电子3S23P2（SP3轨道杂化后，4个外层电子等价） 固态（金刚石型结构和非晶硅） 晶体硅，银灰色，金属光泽，摩氏硬度7，硬而脆，密度2.33g/cm3。 液态硅密度2.533g/cm3, 冷却结晶时体积增大9%左右。 其他性质见表2-1 A 硅的光学性质 Eg=1.12eV, λ≤1240