第3章7外延工艺.pptVIP

分子束外延 分子束外延（MBE molecular beam epitaxy）是在超高真空（10-8Pa）一个或多个热原子或热分子束和晶体表面反应的外延工艺。MBE能够非常精确地控制化学组成和参杂浓度。厚度只有原子层量级的单晶多层结果可用MBE制作。因此，MBE法可用来精确制作半导体异质结构，其薄膜层可从几分之一微米到单层原子。对砷化镓而言，厚度一般在1微米。 第31页/共33页 中科院物理所的分子束外延设备?? 第32页/共33页 第33页/共33页 材料 方式 SiO2 AP,LP,PE PSG AP,PE BPSG AP,PE SiN4 PE Polysilicon LP WSix LP W LP 第1页/共33页 CVD法的步骤： 1. 参加反应的气体的混合物被输运到沉积区 2.反应物分子由主气流扩散到衬底的表面 3.反应物分子吸附在衬底表面上 4.吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成硅原子和化学反应副产物，硅原子沿衬底表面迁移并结合进入晶体点阵。 5.反应副产物分子从衬底表面解吸 6.副产物分子由衬底表面外扩散到主气流中，然后排出淀积区 第2页/共33页 反应物和载气（如H2）一起被引入反应器中，而晶片一般维持在650℃到850℃的范围。必须有足够的砷的过蒸汽压，以防止衬底和生长层的热分解。 第3页/共33页 3.7.1 外延生长原理 1 气相外延 外延是指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术，新单晶的晶向取决于衬底，由衬底向外外延而成。 外延方法很多，硅半导体器件中通常采用硅的气相外延法。其过程是：四氯化硅（SiCl4)或硅烷（SiH4)，在加热的硅衬底表面与氢发生反应或自身发生热分解，还原成硅，并以单晶形式沉积在硅衬底表面。 第4页/共33页 2外延生长设备 第5页/共33页 外延系统应满足如下要求： (1)气密性好 (2)温度均匀且精确可控，能保证衬底均匀地升温与降温； (3)气流均匀分布 (4)反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控 (5)管道、阀门用不锈钢制造，并保证连接可靠。 (6)要使用多个流量计使反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控。 (7)石墨基座由高纯墨制成。加热采用射频感应加热方式。 第6页/共33页 工艺（SiCl4)： 1、处理硅片 2、基座的HCl腐蚀去硅程序 （1）N2预冲洗 （2）H2预冲洗 （3）升温（两步） （4）HCl排空、腐蚀 （5）H2冲洗 （6）N2冲洗 3、外延生长 （1）N2预冲洗 （2）H2预冲洗 第7页/共33页 （3）升温（两步） （4）HCl排空、抛光 （5）H2清洗 （6）外延生长 （7）H2清洗-降低自掺杂效应 （8）降温 （9）N2清洗 第8页/共33页 3.7.3 介质材料CVD 1、SiO2 用途：在大规模集成电路的制造技术中CVD法SiO2的使用和氧化法SiO2互为补充。 采用下列两种反应： 后者已TEOS为主的SiO2LPCVD，阶梯覆盖能力甚佳，应用较广。 第9页/共33页 2、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG) 磷硅玻璃（PSG）最大的用途是作为半导体元件的保护层。 前者用常压CVD，温度约为400°C，外观较纯SiO2的结果来得平滑。其玻态转变温度亦较SiO2得低。 后者用PECVD法 硼磷硅玻璃（BPSG)就是在上述的PSG内，再加入少量硼的一种同时含硼与磷的二氧化硅。 BPSG广泛应用于尚未进行金属沉积前的表面平坦化介质材料。 第10页/共33页 3、氮化硅 氮化硅的用处：场氧化掩蔽膜、钝化层 4、多晶硅CVD 第11页/共33页 3.7.4 金属材料CVD 硅化钨（Polycide结构） 钨： 在一些需要多层金属层的VLSL工艺中，以LPCVD法所淀积的钨，已被大多数的半导体厂商用在作为上下金属层的中间金属连接物。 第12页/共33页 CVD反应室是整个CVD设备的心脏 任何一个 CVD系统均包含一个反应室、一组气体传输系统、排气系统及工艺控制系统 3.7.5 CVD反应室 第13页/共33页 低压LPCVD 第14页/共33页 低压化学气相淀积LPCVD反应器 第15页/共33页 等离子体化学气相淀积PECVD反应器 第16页/共33页 第17页/共33页 资料：扩展的PECVD制造大面积太阳能电池 基于非晶硅（a-Si:H）和微晶硅（μc-Si:H）的薄膜太阳能电池模块日渐成为低成本、大尺度光伏（PV）应用的最佳选择。这类模块的吉瓦级产品需要大面积的均匀吸收层，同时也需要很高的吸收层的沉积速度。 采用具有知识产权保护的AKT等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工具，可以以很高的速率沉积非常均匀的薄膜，并且具有很高的产率和工艺灵活性。在面积从0.43到5.7 m2的