第一部分电子学.PDFVIP

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第一部分电子学

( ) 104-5 電機與電子群 專業科目 一 第一部分:電子學 1. 下列敘述何者錯誤 ? (A) 擴散電流的產生主要為半導體內部載子濃度分布不均 (B) PN 二極體中,電子流的方向為由N 極流向P (C) 價電子位於原子核之最外層軌道上,當變成為自由電子時,為釋放能量 (D) 發光二極體之波長與其外加電壓大小無關 2. 有關二極體溫度效應之特性,下列敘述何者錯誤 ? (A) 矽二極體之溫度每升高 1°C ,其障壁電壓下降約2.5 mV 1 (B) 矽二極體之溫度每升高5°C ,其逆向飽和電流增加約 倍 2 (C) 鍺二極體之溫度每升高1°C ,其障壁電壓下降約1 mV (D) 矽二極體之溫度每升高 10°C ,其逆向飽和電流增加約1 倍 3. 如圖(一)所示之電路,二極體導通電壓為0.7 V ,順向電阻 R 300  ,逆向電阻R =∞ ,試求V 電壓為何? f r o (A) 5 V (B) 4.5 V (C) 3.5 V 圖(一) (D) 2 V 4. 如圖(二)所示為理想之二極體半波整流電路,求負 載R L 之直流功率為何? (A) 1.62 mW (B) 1.125 mW (C) 0.95 mW 圖(二) (D) 0.5 mW 5. 如圖(三)所示為中心抽頭式全波整流電路,二極體均為 理想,且每一個二極體之逆向峰值電壓PIV 10 2 V , 則輸入電壓V (t) ? i (A) 50 sinωt (B) 50 2 sin t 圖(三) (C) 25 sinωt (D) 25 2 sin t 6. 如圖( 四)所示之電路,假設二極體為理想,當V 5 V 時, i 則V ? o (A) 6 V (B) 4 V (C) 3 V (D) 1 V 圖(四) 7. 有關電晶體結構與特性之敘述,下列何者錯誤 ? (A) 降低基極寬度與射極雜質濃度,可提高電晶體電壓放大倍率 (B) 若將電晶體集極與射極對調,則電壓增益與耐壓均會下降 (C) NPN 型電晶體之頻率特性響應優於PNP 型電晶體 (D) 電晶體之射極端摻入雜質濃度愈高,其導電性能提高 共 7 頁 第 1 頁 ( ) 104-5 電機與電子群 專業科目 一 8. 某電晶體參數α值由0.96 提高至0.98 ,則β值可提高多少? (A) 49 (B) 35

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