旋涂法制备CuInS-,2-薄膜太阳能电池光吸收层.pdfVIP

摘要 摘要 铜铟硫(CulnS2)薄膜太阳电池由于具有高的转换效率、长期稳定性、无毒 等优点而成为光伏界研究的热点。本论文主要是从高效低成本的角度出发，研究 电池中的光吸收层的非真空制备工艺，以期能为CulnS2薄膜太阳电池的大规模 工业化生产奠定基础。具体工艺路线为：首先以共沉淀法制备铜铟的纳米硫化物 混合粉末，然后以该混合粉末在氢气中退火得到的混合物为前驱物调制浆料并旋 涂成膜，最后将预置膜在含有硫的气氛中退火得到具有单一黄铜矿结构的CulnS2 薄膜。 在论文中，首先考察了共沉淀反应的pH值的变化对共沉淀产物的影响。分 别选择pH为l、3、5作为共沉淀的反应条件，将所得沉淀分别在心气氛中500 pH=l是较为合适的共沉淀反应pH值。 其次，考察了H2退火对制备的薄膜的影响。以共沉淀法所得的硫化物混合 粉末及其在H2中退火后所得的混合粉末分别作为前驱物制备CulnS2薄膜。扫描 两种薄膜中都形成了CulnS2的黄铜矿相，但以在H2中退火后的粉体为前驱物制 备的薄膜质量显著提高，薄膜的排列密度更高，杂质相消失了，而且质量也大大 提高了。因此，对共沉淀所得硫化物粉末进行H2退火是实验中必不可少的环节。 吸收光谱测得制备的CulnS2薄膜的带隙约为1．45eV。论文还对硫化的反应机理 进行了探讨，发现形成CulnS2的过程是通过Cu．In合金的分解完成的。也就是 与S发生反应，即硫化过程是受原子的扩散速率控制的。 最后，摸索了硫化过程的一些工艺参数，如硫化的温度、时间等。实验结果 表明，5200C是比较好的硫化温度，硫化时间为15min比较合适。 关键词：铜铟硫共沉淀纳米颗粒旋涂退火扩散控制 Abstract Abstract film cellshavebecame indium solar photovoltaic Copper sulfide(CulnS2)thin due suchas conversion researchfocustoits advantageshi．gh efficiency,long—term andnontoxic．Inordertoestablishthefoundationfor stability large·scale industrializationof solar non-vacuumfabrication ofthe CulnS2 cells，the technologies absorberofthecellshavebeenresearchedinthisthesis fromtheviewof layer mainly andlow routeisthat：forthefirstthemixed hi曲performancecost．Specificprocess and metalswere ofsulfidesof indium nano-powders copper preparedby themixed wereannealedin mixture CO-precipitation，thenpowders hydrogengas，the obtained and filmswerean